中国科学院大连化学物理研究所吴凯丰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种延长CuInSe2量子点荧光寿命的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118064152B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211482643.5，技术领域涉及：C09K11/88；该发明授权一种延长CuInSe2量子点荧光寿命的方法是由吴凯丰;何山设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种延长CuInSe2量子点荧光寿命的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种调控CuInSe2量子点辐射寿命的方法，通过配体交换，将三线态能量接近CuInSe2量子点激子态的配体修饰在量子点表面，CuInSe2量子点的激子能量能很快地转移到配体分子的三线态上，同时由于分子三线态的能量接近CuInSe2量子点激子能量，所以还能发生从分子三线态回到CuInSe2量子点激子态的能量转移，从而延长CuInSe2量子点激子态的寿命，本方法能将辐射寿命为百纳秒级的量子点激子态的寿命延长至微秒量级。作为优选方案，表面配体采用5‑并四苯甲酸5‑TCA，能将原本辐射寿命为150ns的CuInSe2量子点的寿命延长到69μs。
本发明授权一种延长CuInSe2量子点荧光寿命的方法在权利要求书中公布了：1.一种调控CuInSe2量子点激发态寿命的方法，其特征在于：将发射中心波长处于800-950nm的CuInSe2量子点的表面修饰三线态能级处于1.0-1.5eV的配体分子；所述CuInSe2量子点为表面带有硫化锌壳层和配体的CuInSe2量子点；所述配体分子为1-并四苯甲酸、2-并四苯甲酸和5-并四苯甲酸中的一种或两种以上； 一个CuInSe2量子点的表面修饰的配体分子数目为10-20；CuInSe2量子点表面的配体为辛硫醇OT和己硫醇HT中的一种或两种。
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