北京北方华创微电子装备有限公司李兴存获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利射频功率的馈入结构及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118073160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211475182.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权射频功率的馈入结构及半导体工艺设备是由李兴存设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本射频功率的馈入结构及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种射频功率的馈入结构及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种射频功率的馈入结构，包括：馈入结构本体；馈入结构本体的侧壁设有第一环形槽，第一环形槽包括两个沿馈入结构的轴向间隔设置的槽面和连接两个槽面的槽底，两个槽面形成电容结构件，槽底形成电感结构件；电容结构件与电感结构件并联设置，且两者形成的等效电路的并联谐振频率与等离子体及射频功率源之间相互作用产生的高次谐波的频率接近或相等。一种半导体工艺设备，包括上述馈入结构。本申请能够解决驻波效应导致刻蚀均匀性差等问题。
本发明授权射频功率的馈入结构及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种射频功率的馈入结构，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述馈入结构100包括：馈入结构本体110； 所述馈入结构本体110的侧壁设有第一环形槽111，所述第一环形槽111包括两个沿所述馈入结构100的轴向间隔设置的槽面和连接两个所述槽面的槽底，两个所述槽面形成电容结构件，所述槽底形成电感结构件； 所述电容结构件与所述电感结构件并联设置，且两者形成的等效电路的并联谐振频率与等离子体及射频功率源之间相互作用产生的高次谐波的频率接近或相等。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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