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龙图腾网获悉四川斯艾普电子科技有限公司申请的专利一种双频段阵列天线及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207484B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211397968.3，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权一种双频段阵列天线及其实现方法是由王树庆;詹立宏设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双频段阵列天线及其实现方法在说明书摘要公布了：一种双频段阵列天线及实现方法，属于双频段阵列天线技术领域，双频段阵列天线包括：公共馈电功分网络的第一金属层具有馈电端口及功分网络；第一阵列天线及第二阵列天线呈对称结构分别设于公共馈电功分网络的两面，均包括依次叠放的第二金属层、第三金属层、第四金属层及第五金属层，且各之间均设有陶瓷基板。第二金属层为接地层，第三金属层具有阻抗匹配网络，第一阵列天线通过第一金属化孔与功分网络连通；第二阵列天线通过第二金属化孔与功分网络连通。第四金属层阵列开设有耦合缝隙。第五金属层对应耦合缝隙均设有辐射贴片。采用厚膜电路工艺实现阵列天线，天线更加小型化，不同频段的天线可单独制作，设计及制作工艺更加简单。

本发明授权一种双频段阵列天线及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种双频段阵列天线，其特征在于，包括：第一阵列天线（1）、第二阵列天线（2）及公共馈电功分网络（3）； 公共馈电功分网络（3）包括第一金属层（31），第一金属层（31）具有馈电端口（32）及具有微带结构的功分网络（33），功分网络（33）将馈电端口（32）输入的馈电信号一分为二； 第一阵列天线（1）及第二阵列天线（2）呈对称结构分别设于公共馈电功分网络（3）的两面，第一阵列天线（1）及第二阵列天线（2）均包括依次叠放的第二金属层（4）、第三金属层（5）、第四金属层（6）及第五金属层（7），其中第二金属层（4）均朝向公共馈电功分网络（3）一侧； 第一金属层（31）、第二金属层（4）、第三金属层（5）、第四金属层（6）及第五金属层（7）之间均设有陶瓷基板（8）； 第二金属层（4）为接地层； 第三金属层（5）具有阻抗匹配网络（51）； 第一阵列天线（1）的第二金属层（4）、第三金属层（5）、第一金属层（31）及相邻之间的陶瓷基板（8）贯穿设有第一金属化孔（34），功分网络（33）的一组信号通过第一金属化孔（34）传递给第一阵列天线（1）的阻抗匹配网络（51）； 第二阵列天线（2）的第二金属层（4）、第三金属层（5）、第一金属层（31）及相邻之间的陶瓷基板（8）贯穿设有第二金属化孔（35），功分网络（33）的另一组信号通过第二金属化孔（35）传递给第二阵列天线（2）的阻抗匹配网络（51）； 第四金属层（6）阵列开设有耦合缝隙（61），且第一阵列天线（1）与第二阵列天线（2）对应的耦合缝隙（61）尺寸存在差异； 第五金属层（7）对应耦合缝隙（61）均设有辐射贴片（71），阻抗匹配网络（51）将信号通过对应的耦合缝隙（61）与辐射贴片（71）进行耦合，第一阵列天线（1）与第二阵列天线（2）对应的辐射贴片（71）形状和或尺寸存在差异； 提供八块陶瓷基板（8），其中，一块陶瓷基板（8）顶面采用厚膜电路工艺形成第一金属层（31），两块陶瓷基板（8）的顶面采用厚膜电路工艺形成有第二金属层（4），两块陶瓷基板（8）的顶面采用厚膜电路工艺形成有第三金属层（5），两块陶瓷基板（8）的顶面采用厚膜电路工艺形成有第四金属层（6），一块陶瓷基板（8）的顶面采用厚膜电路工艺形成有第五金属层（7），形成有第四金属层（6）的其中一块陶瓷基板（8）的底面采用厚膜电路工艺形成有第五金属层（7）。

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