中国科学院宁波材料技术与工程研究所潘丽宁获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种平面各向异性稀土基高频软磁薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115786853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211382041.2，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权一种平面各向异性稀土基高频软磁薄膜及其制备方法是由潘丽宁;高玉;庄学恒;谭果果;满其奎设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种平面各向异性稀土基高频软磁薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于软磁薄膜材料技术领域，涉及一种平面各向异性稀土基高频软磁薄膜及其制备方法。所述稀土基高频软磁薄膜组成成分为RE2TM17，其中RE为稀土元素，TM为过渡金属元素；所述制备方法，包括以下步骤：在基片上沉积稀土‑过渡金属薄膜，再通过真空退火处理制备得到RE2TM17软磁薄膜。本发明突破软磁薄膜的Acher极限，制备获得的组成成分为RE2TM17的平面各向异性稀土基高频软磁薄膜，在不牺牲磁导率的基础上提升了自然共振频率。
本发明授权一种平面各向异性稀土基高频软磁薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种平面各向异性稀土基高频软磁薄膜的制备方法，其特征在于，所述稀土基高频软磁薄膜组成成分为RE2TM17，其中RE为镧系元素、Sc、Y中的一种或多种，TM为Fe、Co、Ni、Mn、Cu中的一种或多种； 所述制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射在基片上沉积稀土-过渡金属薄膜，磁控溅射工艺参数为：氩气气压0.1~1.0Pa，溅射功率50~200W，沉积时间60~120min，再通过真空退火处理制备得到RE2TM17软磁薄膜； 所述基片为Al2O3，取向为0001）方向； 真空退火处理的退火温度为500~800℃，保温时间为1~40h； 真空退火处理后，进行快速水冷。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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