上海华力微电子有限公司於俊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利静电消除装置及晶圆表面静电的消除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115499987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211343831.X，技术领域涉及：H05F3/04；该发明授权静电消除装置及晶圆表面静电的消除方法是由於俊;刘言超;朱晓斌设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电消除装置及晶圆表面静电的消除方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种静电消除装置及晶圆表面静电的消除方法，所述静电消除装置包括：离子枪，设置于所述晶圆的外围，所述离子枪用于向所述晶圆表面发射带电离子，以中和所述晶圆表面的电荷；两个磁场线圈，分别设置于所述晶圆的上方和下方，所述两个磁场线圈用于向所述晶圆方向产生磁场，所述磁场随着所述晶圆表面电荷量的变化而变化；电荷检测单元，与所述磁场线圈信号连接，所述电荷检测单元用于根据所述磁场的变化而检测所述晶圆表面的电荷量。本发明的技术方案能够消除晶圆表面堆积的电荷，进而避免静电放电而导致晶圆表面损伤。
本发明授权静电消除装置及晶圆表面静电的消除方法在权利要求书中公布了：1.一种静电消除装置，用于消除晶圆表面堆积的电荷，其特征在于，包括： 离子枪，设置于所述晶圆的外围，围绕所述晶圆的外围可移动地设置，或固定不动；所述离子枪用于向所述晶圆表面发射带电离子，所述离子枪发射的带电离子与所述晶圆表面的电荷的电性相反，以中和所述晶圆表面的电荷； 两个磁场线圈，分别设置于所述晶圆的上方和下方，所述两个磁场线圈用于向所述晶圆方向产生磁场，所述磁场随着所述晶圆表面电荷量的变化而变化； 电荷检测单元，与所述磁场线圈信号连接，所述电荷检测单元用于根据所述磁场的变化而检测所述晶圆表面的电荷量。
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