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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种超声波传感器阵列、设备以及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115452129B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211278519.7，技术领域涉及：G01H11/06；该发明授权一种超声波传感器阵列、设备以及制作方法是由崔钊;赵仲兰;张锋;刘文渠;吕志军;董立文;孟德天;侯东飞;李禹桥;宋梦亚;李国腾设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超声波传感器阵列、设备以及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种超声波传感器阵列、设备以及制作方法，其中一实施例的超声波传感器阵列包括：衬底；阵列排布的第一电极，在第一方向上阵列排布且沿第二方向延伸的第一连接线，所述第一连接线连接在第二方向上相邻的第一电极；设置在所述第一电极远离所述衬底一侧且阵列排布的第二电极，在第二方向上阵列排布且沿第一方向延伸的第二连接线，所述第二连接线连接在第一方向上相邻的第二电极，以及设置在所述第一电极和所述第二电极的之间的振动单元；所述第一电极和所述第二电极在所述衬底上的投影形成重叠，所述振动单元位于所述第一电极和所述第二电极的重叠投影对应的位置处，所述第一连接线和所述第二连接线在所述衬底上的投影不重叠。

本发明授权一种超声波传感器阵列、设备以及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种超声波传感器阵列，其特征在于，所述传感器阵列包括： 衬底； 设置在衬底上的阵列排布的第一电极， 设置在衬底上的在第一方向上阵列排布且沿第二方向延伸的第一连接线，所述第一连接线连接在第二方向上相邻的第一电极； 设置在所述第一电极远离所述衬底一侧且阵列排布的第二电极， 在第二方向上阵列排布且沿第一方向延伸的第二连接线，所述第二连接线连接在第一方向上相邻的第二电极，以及 设置在所述第一电极和所述第二电极的之间的振动单元； 所述第一电极和所述第二电极在所述衬底上的投影形成重叠，所述振动单元位于所述第一电极和所述第二电极的重叠投影对应的位置处，所述第一连接线和所述第二连接线在所述衬底上的投影不重叠， 其中，所述振动单元包括： 与所述第一电极绝缘设置的振动腔，所述振动腔为利用导电材料制成的振动腔材料层并刻蚀后形成的，和 位于所述相邻的振动腔之间的第一填充层，所述第一填充层和所述振动腔的远离所述衬底一侧的表面位于同一水平面。

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