中国科学院长春光学精密机械与物理研究所黎大兵获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种AlGaN基阳离子空位缺陷单光子发射源及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211258762.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种AlGaN基阳离子空位缺陷单光子发射源及其制备方法是由黎大兵;臧行;石芝铭;孙晓娟;蒋科;贲建伟设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种AlGaN基阳离子空位缺陷单光子发射源及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明的AlGaN基阳离子空位缺陷单光子发射源的制备方法，属于半导体技术及量子信息技术领域，通过群论分析结合第一性原理计算，确认AlGaN中性阳离子空位适合单光子发射，具体实现包括以下关键步骤：p型AlGaN生长，通过表面电子辐照、脉冲激光辐照等方法结合氮化处理、热退火处理制备阳离子空位。本发明还提供了采用如上方法制备得到的AlGaN基阳离子空位缺陷单光子发射源。本发明为量子通信领域提供可选的单光子源方案，同时对基于半导体材料缺陷单光子源的设计具有指导意义，工艺简单，所基于的半导体材料AlGaN工业制备方法成熟，光子能量适合于在光纤中低损耗传播，具有广阔的应用前景。
本发明授权一种AlGaN基阳离子空位缺陷单光子发射源及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种AlGaN基阳离子空位缺陷单光子发射源的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：论证AlGaN中电中性阳离子空位缺陷能级适合单光子发射； S2：生长p型掺杂的AlGaN材料； S3：在所述p型掺杂的AlGaN材料中引入阳离子空位缺陷； S4：氮化处理，补偿氮空位； S5：为了分解Mg-H键，激活p型掺杂，在氮气氛围下采用500-1000℃退火处理10～30min，调节费米能级至电中性阳离子空位稳定存在的位置，得到包含电中性阳离子空位的AlGaN材料； 其中，S3中引入阳离子空位缺陷的方法为在10-1～10-5Pa量级的高真空条件下对所述p型掺杂的AlGaN材料进行电子辐照或脉冲激光辐照，避免引入其他元素杂质。
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