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龙图腾网获悉广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利用于紫外LED的图形化复合衬底、制备方法及外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211248604.9，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权用于紫外LED的图形化复合衬底、制备方法及外延片是由谢鹏程;康凯;张剑桥;陆前军;张小琼设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于紫外LED的图形化复合衬底、制备方法及外延片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于紫外LED的图形化复合衬底、制备方法及外延片。制备方法包括：在蓝宝石基板表面沉积二氧化硅异质层和掩膜层；对掩膜层进行图案化处理形成掩膜图案；基于掩膜图案，利用干法刻蚀工艺，同时对二氧化硅异质层和蓝宝石基板的部分区域进行图案化处理，以在蓝宝石基板表面形成多个二氧化硅异质凸起结构以及蓝宝石凹陷结构；利用湿法刻蚀工艺对二氧化硅异质凸起结构进行修饰，以形成目标凸起结构，并暴露出目标凸起结构与相邻蓝宝石凹陷结构之间的蓝宝石基板表面。采用上述方案，有利于改善外延材料生长质量；多种图形结构的存在能够改变入射至蓝宝石基板的光的传输路径，增加光反射，提升器件光提取效率。

本发明授权用于紫外LED的图形化复合衬底、制备方法及外延片在权利要求书中公布了：1.一种用于紫外LED的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，包括： 提供蓝宝石基板； 在蓝宝石基板表面沉积二氧化硅异质层和掩膜层；所述蓝宝石基板表面为蓝宝石C面； 对所述掩膜层进行图案化处理，形成掩膜图案； 基于所述掩膜图案，利用干法刻蚀工艺，同时对所述二氧化硅异质层和所述蓝宝石基板的部分区域进行图案化处理，以在所述蓝宝石基板表面形成多个二氧化硅异质凸起结构以及蓝宝石凹陷结构；其中，任意相邻所述二氧化硅异质凸起结构的底部通过所述蓝宝石凹陷结构连接，且所述二氧化硅异质凸起结构的侧面与所述蓝宝石凹陷结构的侧面平滑连接； 利用湿法刻蚀工艺对所述二氧化硅异质凸起结构进行修饰，以形成目标凸起结构，并暴露出所述目标凸起结构与相邻所述蓝宝石凹陷结构之间的所述蓝宝石基板表面；其中，暴露出的所述蓝宝石基板表面无刻蚀痕迹； 所述掩膜图案为正三角形、平行四边形和正六边形中的任意一种，且所述掩膜图案在所述二氧化硅异质层上呈周期排列；所述蓝宝石凹陷结构在所述蓝宝石基板表面呈网状分布，并限定出多个凸起结构设置区，所述目标凸起结构位于所述凸起结构设置区；所述蓝宝石凹陷结构呈V型。

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