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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于双抗辐照机制的SRAM及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497945B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211197520.7，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权一种基于双抗辐照机制的SRAM及其制备方法是由刘伟峰;朱少成;包军林;张栋;张士琦;宋建军设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双抗辐照机制的SRAM及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于双抗辐照机制的SRAM及其制备方法，在SOI工艺的MOS器件上嵌入SBD结构形成新型MOS器件，新型MOS器件的两种抗辐照机制分别为SBD嵌入结构和SOI工艺中的绝缘SiO2埋层，把NMOS器件T1、T2、T3、T4、T5、T6通过金属互联线进行连接，构成一个SRAM储存单元，将T3、T4的漏极与高电位VDD连接，栅极与栅电位VGG相连；T1的源极接地，漏极与T3的源极和T2的栅极连接与a点；T2的源极接地，漏极与T4的源极和T1的栅极连接与b点，此时T1、T2、T3、T4共同构成了一个RS锁存器，再将T5NMOS管的漏极与a点相连，源极与位线相连；将T6NMOS管的漏极与b点相连，源极与位线相连，同时将嵌入的SBD的金属Al的金属端接地。本发明能够达到显著提高SRAM抗辐照性能的目的。

本发明授权一种基于双抗辐照机制的SRAM及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双抗辐照机制的SRAM，其特征在于，包括MOS器件，MOS器件上包括两种抗辐照机制，分别为SBD嵌入结构和SOI工艺中的绝缘SiO2埋层； 所述SBD嵌入结构包括作为正极的金属Al015和作为负极的n型Si011；其中金属Al015高度为12nm；n型Si011高度为1020nm，掺杂浓度为3.8×1017cm-3，金属Al015与轻掺杂的n型Si011形成整流接触，用于降低肖特基势垒； SOI工艺中的绝缘层为SiO2埋层002，长度与沟道长度相同； NMOS器件中的T1、T2、T3、T4、T5、T6通过金属互联线进行连接，构成一个SRAM储存单元，将T3、T4的漏极与高电位VDD连接，栅极与栅电位VGG相连；T1的源极接地，漏极与T3的源极和T2的栅极连接与a点；T2的源极接地，漏极与T4的源极和T1的栅极连接与b点，此时T1、T2、T3、T4共同构成了一个RS锁存器，再将T5NMOS管的漏极与a点相连，源极与位线相连；将T6NMOS管的漏极与b点相连，源极与位线相连，此时由T1、T2、T3、T4、T5、T6构成了SRAM的储存单元，同时将嵌入的SBD嵌入结构的金属Al015的金属端接地。

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