上海芯达磊电子科技有限公司覃川获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯达磊电子科技有限公司申请的专利一种基于ADS提取HBT器件工艺参数的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115544930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211162804.2，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种基于ADS提取HBT器件工艺参数的方法及装置是由覃川;周舟设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于ADS提取HBT器件工艺参数的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种基于ADS提取HBT器件工艺参数的方法及装置。方法包括：建立第一HBT仿真电路模型；所述HBT仿真电路模型包括HBT电路、负电阻‑rb和端口，所述负电阻‑rb的两端分别连接所述端口和HBT电路，所述端口的一端接地；根据工艺参数提取需求，设置多组仿真参数；多组所述仿真参数为多个不同的基区电阻rb的阻值；根据所述第一HBT仿真电路模型和仿真参数进行仿真，得到第一仿真曲线图；根据所述第一仿真曲线图确定基区电阻rb的目标阻值。本发明实施例通过建立HBT仿真电路模型并结合仿真技术实现HBT器件中重要工艺参数的提取，解决了设计者无法得知上述重要参数的难题。
本发明授权一种基于ADS提取HBT器件工艺参数的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于ADS提取HBT器件工艺参数的方法，其特征在于，包括： 建立第一HBT仿真电路模型；所述HBT仿真电路模型包括HBT电路、负电阻-rb和端口，所述负电阻-rb的两端分别连接所述端口和HBT电路，所述端口的一端接地； 根据工艺参数提取需求，设置多组仿真参数；多组所述仿真参数为多个不同的基区电阻rb的阻值； 根据所述第一HBT仿真电路模型和仿真参数进行仿真，得到第一仿真曲线图； 根据所述第一仿真曲线图确定基区电阻rb的目标阻值。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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