PVA特普拉股份公司迈克尔·舍乐获国家专利权
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龙图腾网获悉PVA特普拉股份公司申请的专利用于在制程上安全地生产单晶的PVT方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118019882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280060556.2，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权用于在制程上安全地生产单晶的PVT方法和设备是由迈克尔·舍乐;洛伦茨·沃格尔;卡斯滕·维曼;托马斯·鲍梅克设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于在制程上安全地生产单晶的PVT方法和设备在说明书摘要公布了：本发明的目的是在PVT方法中将氢气用作制程气体。为此目的，需要特殊的保护措施以便能在制程上安全地实施该方法。用于实施该PVT方法的设备由可高度加热的生长单元1构成，该生长单元布置在制程室4中，该制程室的壁部由耐热硅玻璃构成。通过进入阀5为制程室4填充氢气。加热装置6由感应线圈7构成，该感应线圈在生长单元1的高度处包围制程室4并且将生长单元1加热至超过2000℃至2400℃。但氢气的使用带来了以下问题：在制程室4的硅玻璃无法完全避免地发生破裂的情况下，氢气与环境空气中的氧气混合，从而形成可燃的气体混合物，其会立即在设备的较热部件处被点燃。因此，制程室4被填充有惰性气体的安全容器8予以包围。
本发明授权用于在制程上安全地生产单晶的PVT方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种在设备中制程安全地生产单晶的PVT方法，所述设备具有能高度加热的生长单元1、制程室4以及加热装置6，所述生长单元1位于所述制程室中，所述加热装置围绕所述制程室4以用于所述生长单元1进行加热，其中将源材料2及晶种3引入所述生长单元1中，为所述制程室4填充制程气体，并且加热所述生长单元1，使得所述源材料2升华并且在所述晶种3处再升华，其特征在于，所述制程气体部分或完全由反应气体构成，所述反应气体包括氢气或由氢气组成，并且所述制程室4布置在安全容器8中，为位于所述安全容器8的容器壁9与所述制程室4之间的间隔空间12填满有保护气体环境，以便在所述源材料2升华之前，排出所述间隔空间中所包含的空气；所述安全容器8包括供冷却媒介流过的冷却媒介管线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人PVA特普拉股份公司，其通讯地址为：德国韦滕贝格；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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