圆益IPS股份有限公司申晙惺获国家专利权
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龙图腾网获悉圆益IPS股份有限公司申请的专利薄膜沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116065140B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211082586.1，技术领域涉及：C23C16/505；该发明授权薄膜沉积方法是由申晙惺;崔暎喆;金东鹤设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜沉积方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种薄膜沉积方法，更具体而言，涉及一种可以薄膜沉积方法，通过导入脉冲型等离子体吹扫工艺，从而防止超细微薄膜的厚度增加和生成的颗粒导致的物性变化。本发明中的薄膜沉积方法可将RF电源施加至腔室，并利用了在上述腔室内部产生等离子体而在基板上形成薄膜的基板处理装置，其包括：向上述腔室内部准备基板的步骤；在上述腔室内部生成第一等离子体，供应源气体而在上述基板上形成薄膜层的薄膜形成步骤；以及向上述腔室内生成提前预设好占空率的第二等离子体，供应惰性气体而在上述腔室内部将残留源气体清除的脉冲型等离子体吹扫步骤。
本发明授权薄膜沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积方法，可将RF电源施加至腔室，并利用了在上述腔室内部产生等离子体而在基板上形成薄膜的基板处理装置，其特征在于，包括： 向上述腔室内部准备基板的步骤； 在上述腔室内部生成第一等离子体，供应源气体而在上述基板上形成薄膜层的薄膜形成步骤；以及 向上述腔室内生成相比所述第一等离子体占空率低的第二等离子体，供应惰性气体而在上述腔室内部将残留源气体清除的脉冲型等离子体吹扫步骤， 其中，所述第二等离子体是低于所述第一等离子体的密度的低密度的等离子体。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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