中国科学院长春光学精密机械与物理研究所郭晓阳获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利3D钙钛矿发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115275073B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211032209.7,技术领域涉及:H10K50/12;该发明授权3D钙钛矿发光二极管及其制备方法是由郭晓阳;包志强;刘星元;吕营;李颜涛设计研发完成,并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本3D钙钛矿发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种3D钙钛矿发光二极管及其制备方法,其中的3D钙钛矿发光二极管包括在基板上依次制备的图案化透明阳极层、阳极界面层、钙钛矿发光层、阴极界面层、阴极界面修饰层和阴极层,钙钛矿发光层中掺杂含亚胺基基团的离子化合物,含亚胺基基团的离子化合物作为有机间隔剂诱导钙钛矿发光层内部形成接近3D晶粒尺寸的2D晶粒。本发明采用含亚胺基基团的离子化合物作为有机间隔剂诱导钙钛矿发光层内形成2D大n相的晶粒,自组装形成具有2D3D混合相分布的钙钛矿发光层,2D晶粒的紧密嵌入有效改善钙钛矿发光层的光学性质,优化钙钛矿发光层的表面形貌,并且利用2D3D异相钙钛矿结构有效抑制出现的PL展宽和多峰发射现象,提高发光器件性能及稳定性。
本发明授权3D钙钛矿发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种3D钙钛矿发光二极管,包括在基板上依次制备的图案化透明阳极层、阳极界面层、钙钛矿发光层、阴极界面层、阴极界面修饰层和阴极层,其特征在于,所述钙钛矿发光层中掺杂含亚胺基基团的离子化合物,所述含亚胺基基团的离子化合物作为有机间隔剂诱导所述钙钛矿发光层内部形成接近3D晶粒尺寸的2D晶粒,使所述钙钛矿发光层成为2D3D异相钙钛矿结构;所述含亚胺基基团的离子化合物为二乙胺氢溴酸盐、甲乙胺氢溴酸盐、二丙胺氢溴酸盐、二异丙胺氢溴酸盐或二丁胺氢溴酸盐。
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