西安微电子技术研究所贺欣获国家专利权
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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利基于光学显微镜光刻线宽测试结构及检验方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115309007B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211035062.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权基于光学显微镜光刻线宽测试结构及检验方法是由贺欣;郎刚平;李占文;邵璐;潘振雨设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于光学显微镜光刻线宽测试结构及检验方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于光学显微镜光刻线宽测试结构及检验方法，属于微电子技术领域，CD上限观察图形和CD下限观察图形均包括若干个长方形结构，且若干个长方形结构构成品字形，结构简单，光刻版设计及工艺实现容易，该结构只需要设计若干个同尺寸的长方形即可实现，同时大尺寸的长方形在工艺实现中也避免了小尺寸图形易出现的漂胶等异常；同时显微镜检验便捷，可以通过检验品字型结构上下两个长方形的侧边是否在一条直线上，来判别该层线宽是否超过范围，其图形和结构设计科学合理，辨识度高，可满足光刻工艺线宽≥2μm的层次在线检验的要求，为高质量完成光刻工艺打下基础。
本发明授权基于光学显微镜光刻线宽测试结构及检验方法在权利要求书中公布了：1.一种基于光学显微镜光刻线宽测试结构，其特征在于，包括两组监控结构，所述监控结构包括CD上限观察图形和CD下限观察图形；CD上限观察图形和CD下限观察图形均包括若干个长方形结构，且若干个长方形结构构成品字形；所述CD上限观察图形和CD下限观察图形的属性相反；所述CD上限观察图形的长方形结构的长大于宽，上方的长方形结构与下方的长方形结构的水平间距相等，且水平间距等于监控层光刻线宽规范。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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