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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种晶圆的电弧抑制方法及半导体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332124B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211031304.5，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种晶圆的电弧抑制方法及半导体设备是由李一曼;李凯;白帆;王晓丹;曹广岳;马兵设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆的电弧抑制方法及半导体设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶圆的电弧抑制方法及半导体设备，在主工艺阶段的下射频电源开启之前和或在主工艺阶段的下射频电源关闭之后，向反应腔室内通入非工艺气体；按照预设的开启时间设定策略，开启下射频电源，以使下射频电源将反应腔室内的非工艺气体激发形成等离子体，使晶圆的电势趋近于0；按照预设的接地时间设定策略，将下电极的基体接地，以使下电极基体的电势趋近于0。可见，本申请可降低工艺的吸附解吸附过程中因ESC电压的变化对晶圆和下电极基体电势产生的影响，从而减小了晶圆和下电极之间的电势差，达到最小化或消除晶圆上电弧的效果，进而有效减少了因晶圆电弧放电对晶圆造成的损伤，提高了有效晶圆的产量。

本发明授权一种晶圆的电弧抑制方法及半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的电弧抑制方法，应用于半导体设备，所述半导体设备包括：反应腔室、设于所述反应腔室内的下电极及馈电至所述下电极的下射频电源和静电吸附电源，其特征在于，在主工艺阶段的所述下射频电源开启之前和或在主工艺阶段的所述下射频电源关闭之后，所述电弧抑制方法包括： 向所述反应腔室内通入非工艺气体； 按照预设的开启时间设定策略，开启所述下射频电源，以使所述下射频电源将所述反应腔室内的所述非工艺气体激发形成等离子体，使所述反应腔室内的晶圆的电势趋近于0，其中，在主工艺阶段的所述下射频电源开启之前，所述按照预设的开启时间设定策略，开启所述下射频电源，包括在所述静电吸附电源向所述下电极施加正向电压之前，将所述下射频电源开启； 按照预设的接地时间设定策略，将所述下电极的基体接地，以使所述下电极基体的电势趋近于0，其中，在主工艺阶段的所述下射频电源开启之前，所述按照预设的接地时间设定策略，将所述下电极的基体接地，包括在所述静电吸附电源向所述下电极施加正向电压之前，将所述下电极的基体接地。

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