北京北方华创微电子装备有限公司范庆霞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体热处理工艺设备、方法及金属薄膜浸润性评价方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211034657.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体热处理工艺设备、方法及金属薄膜浸润性评价方法是由范庆霞设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体热处理工艺设备、方法及金属薄膜浸润性评价方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体热处理工艺设备、方法及金属薄膜浸润性评价方法，设备包括：热处理腔室，热处理腔室内设有晶圆支撑机构、晶圆抬升机构以及位于晶圆支撑机构上方的薄膜浸润性检测机构；晶圆支撑机构用于支撑晶圆并对晶圆进行加热；晶圆抬升机构用于将位于晶圆支撑机构上的晶圆抬升至检测位进行金属薄膜浸润性检测，以及将晶圆从检测位下降至晶圆支撑机构上进行热处理；薄膜浸润性检测机构用于在晶圆上升至检测位时与金属薄膜接触，并对金属薄膜的面电阻进行检测，以及根据金属薄膜的面电阻值评价金属薄膜的浸润性。本发明能够实现在热处理工艺中对金属薄膜浸润性的原位检测及评价。
本发明授权半导体热处理工艺设备、方法及金属薄膜浸润性评价方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体热处理工艺设备，其特征在于，包括：热处理腔室，所述热处理腔室内设有晶圆支撑机构、晶圆抬升机构以及位于所述晶圆支撑机构上方的薄膜浸润性检测机构； 所述晶圆支撑机构用于支撑晶圆并对所述晶圆进行加热，所述晶圆表面沉积有设定厚度的金属薄膜； 所述晶圆抬升机构用于将位于所述晶圆支撑机构上的所述晶圆抬升至检测位进行金属薄膜浸润性检测，以及将所述晶圆从所述检测位下降至所述晶圆支撑机构上进行热处理； 所述薄膜浸润性检测机构用于在所述晶圆上升至所述检测位时与所述金属薄膜接触，并对所述金属薄膜的面电阻进行检测，以及根据所述金属薄膜的面电阻值评价所述金属薄膜的浸润性。
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