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龙图腾网获悉徐州鑫晶半导体科技有限公司申请的专利冷却装置及其控制方法、晶体生长炉获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115261974B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211029836.5，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权冷却装置及其控制方法、晶体生长炉是由陈俊宏设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本冷却装置及其控制方法、晶体生长炉在说明书摘要公布了：本发明公开了一种冷却装置及其控制方法、晶体生长炉，冷却装置用于对晶体进行冷却，晶体生长炉具有进液管路和出液管路，冷却装置包括第一冷却套和切换组件，第一冷却套内限定出分隔的第一冷却通道和第二冷却通道，第一冷却通道的冷却能力高于第二冷却通道的冷却能力，在第一工作位置下，第一冷却通道适于与进液管路和出液管路均连通、且第二冷却通道适于与进液管路和出液管路均隔断，在第二工作位置下，第二冷却通道适于与进液管路和出液管路均连通、且第一冷却通道适于与进液管路和出液管路均隔断；切换组件用于驱动第一冷却套在第一工作位置和第二工作位置之间切换。根据本发明的冷却装置，可以提升晶冠的散热效率。

本发明授权冷却装置及其控制方法、晶体生长炉在权利要求书中公布了：1.一种冷却装置100，其特征在于，所述冷却装置100用于晶体生长炉，且用于对晶体进行冷却，所述晶体生长炉具有进液管路101和出液管路102，所述冷却装置100包括： 至少一个第一冷却套1，所述第一冷却套1内限定出分隔的第一冷却通道1a和第二冷却通道1b，所述第一冷却通道1a的冷却能力高于所述第二冷却通道1b的冷却能力，所述第一冷却套1适于在第一工作位置和第二工作位置之间切换，在所述第一工作位置下，所述第一冷却通道1a适于与所述进液管路101和所述出液管路102均连通、且所述第二冷却通道1b适于与所述进液管路101和所述出液管路102均隔断，在所述第二工作位置下，所述第二冷却通道1b适于与所述进液管路101和所述出液管路102均连通、且所述第一冷却通道1a适于与所述进液管路101和所述出液管路102均隔断； 切换组件2，所述切换组件2用于驱动所述第一冷却套1在所述第一工作位置和所述第二工作位置之间切换； 所述第一冷却套1自所述第一工作位置转动至所述第二工作位置的转动角度为α，0°＜α＜360°。

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