北京理工大学赵佳雨获国家专利权
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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种g-C3N4包覆且含有氧空位的富锂锰基层状材料、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332510B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211015358.2，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种g-C3N4包覆且含有氧空位的富锂锰基层状材料、制备方法及其应用是由赵佳雨;苏岳锋;陈来;董锦洋;郝佳男;李文博;吴锋设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种g-C3N4包覆且含有氧空位的富锂锰基层状材料、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种g‑C3N4包覆且含有氧空位的富锂锰基层状材料、制备方法及其应用，属于锂离子电池技术领域。所述材料以富锂锰基层状材料基体，层状结构表面含有氧空位，且最外层包覆有g‑C3N4；g‑C3N4包覆层的厚度为1nm～10nm，氧空位的量与g‑C3N4的量成正比。所述方法通过将富碳氮的原料与富锂锰基层状材料混合后，在惰性气体氛围下煅烧，原位生成g‑C3N4导电子层，同时副产物反应生成具有氧空位的导离子层，双导保护层的预构使其倍率性能以及循环稳定性共同提高。
本发明授权一种g-C3N4包覆且含有氧空位的富锂锰基层状材料、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种g-C3N4包覆且含有氧空位的富锂锰基层状材料，其特征在于：所述材料以富锂锰基层状材料基体，层状结构表面含有氧空位，且最外层包覆有g-C3N4；g-C3N4包覆层的厚度为1nm～10nm，氧空位的量与g-C3N4的量成正比；富锂锰基层状材料基体的化学式为Li1+ xMnyMtO2，M为过渡金属Ni、Co和Mn中的一种以上，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜t＜1，x+y+t＝1； 所述材料通过以下方法制备得到，具体步骤如下： 1将碳氮源与富锂锰基正极材料混合，球磨得到混合粉末；其中，所述碳氮源为三聚氰胺；碳氮源的添加量为富锂锰基正极材料的0.6at％～3.5at％；球磨时保证不破坏富锂锰基正极材料形貌即可； 2将所述混合粉末放入无水乙醇中，加热搅拌蒸干，真空干燥，得到混合物； 3将所述混合物放入惰性气体氛围的密封容器中，300℃～400℃下煅烧2h～6h，得到一种g-C3N4包覆且含有氧空位的富锂锰基层状材料。
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