福建省晋华集成电路有限公司林毓纯获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211014837.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其形成方法是由林毓纯;郑存闵;张正国;李武祥;陈笋弘设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述衬底包括多个凸柱，所述导电插塞位于相邻的两个所述凸柱之间；形成至少覆盖各个所述凸柱顶部拐角处的第一金属层；形成覆盖所述导电插塞的顶部的第二金属层；进行退火工艺处理，所述导电插塞顶部的第二金属层与所述导电插塞发生反应，形成金属硅化物；去除退火工艺处理后剩余的第一金属层和第二金属层。本申请能够提高导电插塞和对应接触层的导电性能。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括： 提供衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述衬底包括多个凸柱，所述导电插塞位于相邻的两个所述凸柱之间；所述凸柱的两侧包括间隔层，所述间隔层内设有氧化层，所述凸柱顶部的拐角处暴露所述氧化层； 形成至少覆盖各个所述凸柱顶部拐角处的第一金属层；所述第一金属层至少覆盖所述间隔层沿所述凸柱凸起方向的顶部； 形成覆盖所述导电插塞的顶部的第二金属层； 进行退火工艺处理，所述导电插塞顶部的第二金属层与所述导电插塞发生反应，形成金属硅化物； 去除退火工艺处理后剩余的第一金属层和第二金属层。
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