杭州盾源聚芯半导体科技有限公司范明明获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州盾源聚芯半导体科技有限公司申请的专利一种立式氧化炉的硅质保温桶获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115111907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210909334.5，技术领域涉及：F27B1/10；该发明授权一种立式氧化炉的硅质保温桶是由范明明;祝建敏;陈荣贵;郑小松设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种立式氧化炉的硅质保温桶在说明书摘要公布了：本发明公开了一种立式氧化炉的硅质保温桶，包括底座、顶座以及至少三个垂直安装在底座和顶座之间的沟棒，底座和顶座之间设有若干个鳍片，沟棒上设有若干组沿着保温桶高度方向设置的容纳槽，其中，两个沟棒之间设有供鳍片插入容纳槽的开口，至少一个沟棒上设有将若干个容纳槽相连通的排水槽，底座上设有用于安装带有排水槽的沟棒，承载件上设有接收水珠的聚水槽，聚水槽与外界连通设有排水管，通过开口将鳍片插接至容纳槽内，便于鳍片的安装，利用沟棒上的排水槽将鳍片上凝结的水珠引流至承载件的聚水槽中，然后通过排水管将水向外排出，防止水珠穿过底座以及工艺门与元器件接触，进而造成元器件的损坏，实现了对元器件的保护。
本发明授权一种立式氧化炉的硅质保温桶在权利要求书中公布了：1.一种立式氧化炉的硅质保温桶，包括底座1、顶座2以及至少三个垂直安装在所述底座1和顶座2之间的沟棒，所述底座1和顶座2之间设有若干个鳍片6，其特征在于：所述沟棒上设有若干组沿着保温桶高度方向设置的容纳槽，其中，两个所述沟棒之间设有供所述鳍片6插入所述容纳槽的开口，至少一个所述沟棒上设有将若干个容纳槽相连通的排水槽42，所述底座1上至少设有一个承载件3，所述承载件3用于安装带有所述排水槽42的沟棒，所述承载件3上设有用于接收水珠的聚水槽31，所述聚水槽31与外界连通设有排水管9； 所述容纳槽中至少设有两个竖直向上延伸的限位柱7，所述限位柱7与所述鳍片6的外缘相抵使所述鳍片6与所述容纳槽的侧壁预留一间隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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