北京北方华创微电子装备有限公司林源为获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺参数的确定方法、检测方法及半导体处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115389124B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210913614.3，技术领域涉及：G01M3/26；该发明授权半导体工艺参数的确定方法、检测方法及半导体处理设备是由林源为设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺参数的确定方法、检测方法及半导体处理设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体工艺参数的确定方法、检测方法及半导体处理设备，方法包括：S1、根据当前的预设进气流量和减压阀压强计算腔室的第一漏率，以及根据当前的预设射频启辉功率计算腔室的第二漏率；S2、根据腔室的本底漏率、第一漏率、第二漏率以及真空泵的抽速计算腔室的极限真空度；S3、若极限真空度小于或等于当前的预设目标腔压，则以预设进气流量、预设射频启辉功率和预设目标腔压作为半导体工艺参数。本方法不需要进行实际的抽气实验来确定基于当前预设的工艺参数，当前的设备真空系统是否能够将腔室控制到目标腔压。而是直接通过系统进行计算处理得出结论，不仅可以降低人力、物力成本，而且效率高。
本发明授权半导体工艺参数的确定方法、检测方法及半导体处理设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺参数的确定方法，其特征在于，所述方法包括： S1、根据当前的预设进气流量和减压阀压强计算腔室的第一漏率，以及根据当前的预设射频启辉功率计算所述腔室的第二漏率； S2、根据所述腔室的本底漏率、所述第一漏率、所述第二漏率以及真空泵的抽速计算所述腔室的极限真空度； S3、若所述极限真空度小于或等于当前的预设目标腔压，则以所述预设进气流量、所述预设射频启辉功率和所述预设目标腔压作为所述半导体工艺参数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京北方华创微电子装备有限公司，其通讯地址为：100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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