买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种极低温常关的电阻开关及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172584B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210888821.8，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种极低温常关的电阻开关及制备方法是由廖昭亮;洪宇昊设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种极低温常关的电阻开关及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种极低温常关的电阻开关，包括：SrTiO3衬底、LaFeO3薄膜、LaAlO3薄膜，其中，所述SrTiO3衬底的抛光面生长有所述LaFeO3薄膜，所述LaFeO3薄膜上生长有所述LaAlO3薄膜，所述SrTiO3衬底的粗糙面镀有金属。本发明极低温常关的电阻开关通过脉冲激光沉积和磁控溅射构筑的背电极SrTiO3LaFeO3LaAlO3异质结，其结构简单，成本低廉，氧化物晶格失配小，可行性高，能够实现大规模制备，易实现产业化，具有很强的实用价值。

本发明授权一种极低温常关的电阻开关及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种极低温常关的电阻开关，其特征在于，包括： SrTiO3衬底、LaFeO3薄膜和LaAlO3薄膜，其中，所述SrTiO3衬底的抛光面生长有所述LaFeO3薄膜，所述LaFeO3薄膜上生长有所述LaAlO3薄膜，所述SrTiO3衬底的粗糙面镀有黏附层和背电极； 所述SrTiO3衬底采用单面抛光的单晶SrTiO3衬底，所述单晶SrTiO3衬底厚度≤1mm，所述单晶SrTiO3衬底为001取向的单晶SrTiO3衬底； 所述SrTiO3衬底的抛光面上生长的LaFeO3薄膜为c轴择优取向的LaFeO3薄膜，所述LaFeO3薄膜厚度为2-15个单胞层；在LaFeO3薄膜上生长的LaAlO3薄膜为c轴择优取向的LaAlO3薄膜，所述LaAlO3薄膜厚度为2-5个单胞层； 所述黏附层采用Ni、Ti或Al，所述背电极采用Pt或Au； 制备所述极低温常关的电阻开关的方法，包括： 对SrTiO3衬底进行预处理，并对处理后的SrTiO3衬底进行脉冲激光沉积，外延生长氧化物薄膜； 对生长了所述氧化物薄膜的SrTiO3衬底进行磁控溅射，在粗糙面溅射金属形成黏附层，并在所述黏附层溅射金属作为背电极，得到电阻开关； 将所述电阻开关置于极低温环境，施加背栅极电场后撤去，得到常关的电阻开关。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学技术大学，其通讯地址为：230026 安徽省合肥市蜀山区金寨路96号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。