北京北方华创微电子装备有限公司王松获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利线圈装置及半导体工艺腔室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210862883.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权线圈装置及半导体工艺腔室是由王松;陈星;韦刚;茅兴飞;陈国动;何忠义设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本线圈装置及半导体工艺腔室在说明书摘要公布了：本申请公开了一种线圈装置及半导体工艺腔室，涉及半导体工艺装备领域。一种线圈装置，应用于半导体工艺腔室，所述线圈装置包括：第一介质层、第二介质层、第一线圈层和第二线圈层；所述第一介质层与所述第二介质层间隔设置，且两者之间形成空气层；所述第一线圈层设置于所述第一介质层，所述第二线圈层设置于所述第二介质层，所述第一线圈层与所述第二线圈层对应设置并串联连接。一种半导体工艺腔室，包括上述线圈装置。本申请至少能够解决线圈的角向分布不对称等问题。
本发明授权线圈装置及半导体工艺腔室在权利要求书中公布了：1.一种线圈装置，应用于半导体工艺腔室，其特征在于，所述线圈装置包括：第一介质层（100）、第二介质层（200）、第一线圈层（300）和第二线圈层（400）； 所述第一介质层（100）与所述第二介质层（200）间隔设置，且两者之间形成空气层（500）； 所述第一线圈层（300）设置于所述第一介质层（100），所述第二线圈层（400）设置于所述第二介质层（200），所述第一线圈层（300）与所述第二线圈层（400）对应设置并串联连接； 所述第一介质层（100）设有沿周向排布且贯通所述第一介质层（100）的多个第一通孔（110），每个所述第一通孔（110）沿所述第一介质层（100）的径向呈辐射状设置；和或，所述第二介质层（200）设有沿周向排布且贯通所述第二介质层（200）的多个第二通孔（210），每个所述第二通孔（210）沿所述第二介质层（200）的径向呈辐射状设置。
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