北京北方华创微电子装备有限公司黄海涛获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210844756.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备是由黄海涛设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备，上电极组件包括导电连接筒，以及与导电连接筒的底端连接的匀气盘；导电连接筒内设有中心进气通道和多个边缘进气通道；匀气盘包括中心通气孔、环绕中心通气孔设置的环形进气通道、环绕环形进气通道设置的环形出气通道，以及多个将环形进气通道和环形出气通道连通的连接通道；中心进气通道与中心通气孔连通；边缘进气通道与环形进气通道连通。本申请中，工艺气体顺着边缘进气通道从环形进气通道进入匀气盘，然后依次通过连接通道和环形出气通道，最终到达晶圆的边缘区域。由于工艺气体映射在晶圆边缘表面的气体分布效果为环形带状分布，分布均匀，从而可以提高晶圆边缘刻蚀的均匀性。
本发明授权一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备在权利要求书中公布了：1.一种上电极组件，应用于半导体处理设备的工艺腔室，其特征在于，包括导电连接筒，以及与所述导电连接筒的底端连接的匀气盘； 所述导电连接筒内设有中心进气通道和多个边缘进气通道； 所述匀气盘包括中心通气孔、环绕所述中心通气孔设置的环形进气通道、环绕所述环形进气通道设置的环形出气通道，以及多个将所述环形进气通道和所述环形出气通道连通的连接通道； 所述中心进气通道与所述中心通气孔连通，所述中心通气孔用于将流入所述中心进气通道内的气体导向晶圆的中心区域； 所述边缘进气通道与所述环形进气通道连通，所述环形出气通道用于将流入所述边缘进气通道内的气体导向所述晶圆的边缘区域，映射在所述晶圆的边缘表面的气体分布效果为环形带状分布。
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