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华中科技大学;湖北江城实验室王兴晟获国家专利权

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龙图腾网获悉华中科技大学;湖北江城实验室申请的专利一种忆阻器的稳定电导获取方法、调控方法及应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115222029B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210833673.X,技术领域涉及:G06N3/065;该发明授权一种忆阻器的稳定电导获取方法、调控方法及应用是由王兴晟;汪美青;王成旭;黄梦华;缪向水设计研发完成,并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

一种忆阻器的稳定电导获取方法、调控方法及应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种忆阻器的稳定电导获取方法、调控方法及应用。其中,该稳定电导获取方法包括如下步骤:向处于稳定低阻态的忆阻器的上下电极之间连续施加20~50个等幅值等脉宽的reset脉冲,并在施加的第10个reset脉冲起的每个reset脉冲后,向忆阻器施加读电压进行读操作,直到读操作读出的忆阻器的电导值处于稳定态,获取忆阻器在此时reset脉冲下的稳定电导态;然后通过等量提高reset脉冲的幅值或脉宽,获得多个reset脉冲下的稳定电导态。本发明可获得忆阻器稳定多值,操作方法简单,读次数少,同时还可有效降低电导调控过程中循环间偏差。

本发明授权一种忆阻器的稳定电导获取方法、调控方法及应用在权利要求书中公布了:1.一种忆阻器的稳定电导获取方法,其特征在于,包括如下步骤: 1向处于稳定低阻态的忆阻器的上下电极之间连续施加20~50个等幅值等脉宽的reset脉冲,并在施加的第10个reset脉冲起的每个reset脉冲后,向忆阻器施加读电压进行读操作,直到读操作读出的忆阻器的电导值处于稳定态,获取忆阻器在此时reset脉冲下的稳定电导态; 2向前一步骤处于稳定电导态的忆阻器进行set操作,使其处于稳定低阻态,然后增加前一步骤中reset脉冲的幅值或脉宽,对此时处于稳定低阻态的忆阻器执行步骤1的类似操作,获得忆阻器在此时reset脉冲下的稳定电导态; 3重复执行步骤2,直到获得忆阻器在多个reset脉冲下的稳定电导态,多个reset脉冲为多个仅幅值不同且幅值等量增加的负向脉冲、或多个仅脉宽不同且脉宽等量增加的负向脉冲。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学;湖北江城实验室,其通讯地址为:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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