上海积塔半导体有限公司吴贤勇获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210823509.0，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构及其制备方法是由吴贤勇;季益静;张文亚设计研发完成，并于2022-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；衬底的表面形成有外延层；形成初始沟槽；初始沟槽位于外延层内；形成保护介质层；保护介质层位于初始沟槽的底部及外延层远离衬底的表面，并暴露出初始沟槽的顶部拐角及侧壁；对初始沟槽的顶部拐角及侧壁进行修复处理，以得到目标沟槽。本申请提供的半导体结构的制备方法，能够准确地定义出修复处理的工艺窗口，还可以防止在对初始沟槽进行修复处理的过程中，初始沟槽的底部及外延层远离衬底的表面出现凹坑；并且，顶部拐角也能够被修复处理，从而形成比较圆滑的形貌。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底；所述衬底的表面形成有外延层； 形成初始沟槽；所述初始沟槽位于所述外延层内； 形成保护介质层；所述保护介质层位于所述初始沟槽的底部及所述外延层远离所述衬底的表面，并暴露出所述初始沟槽的顶部拐角及侧壁； 对所述初始沟槽的所述顶部拐角及所述侧壁进行修复处理，以得到目标沟槽； 其中，所述形成保护介质层，包括： 形成保护介质材料层；所述保护介质材料层覆盖所述初始沟槽的底部、所述初始沟槽的所述侧壁及所述外延层远离所述衬底的表面；位于所述初始沟槽底部及所述外延层远离所述衬底表面的所述保护介质材料层的厚度，大于位于所述初始沟槽侧壁的所述保护介质材料层的厚度； 对所述保护介质材料层进行湿法预处理，去除覆盖所述侧壁及所述顶部拐角顶面的所述保护介质材料层，保留的所述保护介质材料层作为所述保护介质层。
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