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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种氟磷酸氧钒钠单晶阵列自支撑电极及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084435B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210776115.4，技术领域涉及：H01M4/133；该发明授权一种氟磷酸氧钒钠单晶阵列自支撑电极及其制备方法和应用是由李龙;朱小龙;丁书江;孙泽慧;李雁淮;宋忠孝设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氟磷酸氧钒钠单晶阵列自支撑电极及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氟磷酸氧钒钠单晶阵列自支撑电极及其制备方法和应用，将钒源和碳源在溶剂中加热还原，之后加入钠源、磷源和氟源，搅拌混合均匀，加入一维碳材料超声分散后抽滤成的碳膜，在120～200℃水热1～50h，将得到的氟磷酸氧钒钠单晶阵列在惰性气氛下，350～800℃退火0.1～50h，得到无定形碳包覆的氟磷酸氧钒钠单晶阵列自支撑电极；自支撑电极通过单晶阵列自支撑结构和柔性碳材料基底的电极一体化策略提高氟磷酸钒钠电极的能量密度，改变传统电极的刚性特点，为该电极在高能量密度和柔性钠离子电池中应用具有重要意义。

本发明授权一种氟磷酸氧钒钠单晶阵列自支撑电极及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种氟磷酸氧钒钠单晶阵列自支撑电极，其特征在于：电极为无定形碳包覆氟磷酸氧钒钠单晶的阵列结构，碳膜作为氟磷酸氧钒钠阵列原位生长基底和四方柱状氟磷酸钒钠单晶一端相互嵌入复合； 氟磷酸氧钒钠单晶阵列自支撑电极的制备方法，包括以下步骤： 1将一维碳材料和分散剂加入到超纯水中采用细胞破碎仪进行高能超声均匀分散在溶液中； 2将步骤1中均匀分散的一维碳材料混合溶液抽滤成膜，并使用超纯水多次清洗，将一维碳材料薄膜转移并干燥； 3按照元素比Na:V:P:F＝3:2:2:x取钠源、钒源、磷源和氟源，并取碳源，x取值为1-3； 4将钒源和碳源加入到超纯水的烧杯中形成溶液，将该溶液升温搅拌直至溶液颜色变为浅绿色；再将钠源、氟源和磷源加入到以上溶液中继续搅拌混合均匀，得到前驱体溶液；碳源被用作还原剂，将V5+还原为V3+，碳源含量为将五价或者四价钒还原成三价钒所需量的105％～130％； 5将步骤2得到的碳材料薄膜和步骤4得到的前驱体溶液转移到水热釜中，升温至120～200℃，恒温1h～50h后自然冷却至室温，得到氟磷酸氧钒钠单晶阵列自支撑材料； 6将步骤5得到的氟磷酸氧钒钠单晶阵列自支撑材料在惰性气氛下，以2℃min～10℃min的升温速率加热至300℃～800℃，恒温0.1h～10h后自然冷却至室温，得到无定形碳包覆的氟磷酸氧钒钠单晶阵列自支撑电极。

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