上海华力微电子有限公司王奇伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利高压器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761842.3，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权高压器件的制造方法是由王奇伟;张志刚;李涛设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高压器件的制造方法，衬底内形成有隔离沟槽，相邻的隔离沟槽之间的区域为高压区域，隔离沟槽内填充有第一介质层，衬底表面形成有具有开口的硬掩膜层，所述开口至少暴露高压区域及靠近高压区域的部分第一介质层；执行第一刻蚀工艺，以刻蚀开口内的第一介质层和衬底，使开口内的衬底中靠近第一介质层的部分形成尖角；执行第二刻蚀工艺，以继续刻蚀开口内的第一介质层，使尖角的靠近第一介质层一侧的表面暴露；将包括尖角的部分厚度的衬底氧化形成牺牲层并去除。本发明通过执行第二刻蚀工艺使尖角的表面暴露，以便将尖角完全氧化为牺牲层并去除，从而改善高压区域中衬底顶角的圆滑程度，改善高压器件的性能。
本发明授权高压器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高压器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内形成有隔离沟槽，相邻的所述隔离沟槽之间的区域为高压区域，所述隔离沟槽内填充有第一介质层，所述衬底上形成有具有开口的硬掩膜层，所述开口至少暴露所述高压区域及所述第一介质层的靠近所述高压区域的部分表面； 执行第一刻蚀工艺，以刻蚀所述开口暴露的第一介质层和衬底，使所述开口内的衬底的靠近所述第一介质层的部分形成尖角； 执行第二刻蚀工艺，以继续刻蚀所述开口暴露的第一介质层，使所述尖角靠近所述第一介质层一侧的表面被暴露出来； 将所述开口内的部分厚度的衬底氧化以形成牺牲层，形成所述牺牲层的部分衬底至少包括所述尖角；以及， 去除所述牺牲层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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