香港理工大学深圳研究院柴扬获国家专利权
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龙图腾网获悉香港理工大学深圳研究院申请的专利一种基于二维碲烯的场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115101594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210654981.6,技术领域涉及:H10D30/47;该发明授权一种基于二维碲烯的场效应晶体管及其制备方法是由柴扬;林梓愿设计研发完成,并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二维碲烯的场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种基于二维碲烯的场效应晶体管及其制备方法。所述基于二维碲烯的场效应晶体管包括:介电层、位于所述介电层上的二维碲烯层、位于所述二维碲烯层两端的铂层、位于两端铂层上的金层。本发明通过使用高功函的金属铂作为二维碲烯的接触金属,减小场效应晶体管的接触电阻,提高器件的性能。这是因为金属铂有着5.65eV的高功函,远远大于二维碲烯的价带顶4.35eV左右,能够在两者界面形成较小的肖特基势垒,促进二维碲烯中的空穴输运,从而减小器件的接触电阻,提高器件的P型性能。
本发明授权一种基于二维碲烯的场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于二维碲烯的场效应晶体管,其特征在于,包括:介电层、位于所述介电层上的二维碲烯层、位于所述二维碲烯层两端的铂层、位于两端铂层上的金层; 所述铂层的厚度为10-15nm。
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