无锡锡产微芯半导体有限公司安俊杰获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡锡产微芯半导体有限公司申请的专利屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927560B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210575937.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管是由安俊杰;金波设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管在说明书摘要公布了：本公开涉及一种屏蔽栅极沟槽SGT金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。根据本公开的SGTMOSFET包括：衬底；第一外延层，设置在衬底上方；第二外延层，设置在第一外延层上方；沟道区域，设置在第二外延层上方；源极区域，设置在沟道区域上方；沟槽，在纵向方向上穿过源极区域、沟道区域、第二外延层延伸到第一外延层中，沟槽中填充有介质层，在介质层中设置有控制栅极和屏蔽栅极；以及缓冲区域，其在第一外延层中设置在沟槽下方，在横向方向上缓冲区域的尺寸大于沟槽的尺寸。根据本公开的SGTMOSFET，通过在沟槽下方引入尺寸大于沟槽的缓冲区域，可以在SGTMOSFET的纵向电场中形成峰谷形分布，从而有效地提高SGTMOSFET的耐压能力并且降低比导通电阻。
本发明授权屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，包括： 衬底； 第一外延层，设置在所述衬底上方； 第二外延层，设置在所述第一外延层上方； 沟道区域，设置在所述第二外延层上方； 源极区域，设置在所述沟道区域上方； 沟槽，在纵向方向上穿过所述源极区域、所述沟道区域、所述第二外延层延伸到所述第一外延层中，所述沟槽中填充有介质层，在所述介质层中设置有控制栅极和屏蔽栅极；以及 缓冲区域，其在所述第一外延层中设置在所述沟槽下方，在横向方向上所述缓冲区域的尺寸大于所述沟槽的尺寸； 其中，所述衬底、第一外延层、所述第二外延层和所述缓冲区域掺杂有第一导电类型的杂质， 其中，所述衬底的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度， 其中，所述第一外延层的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度，以及 其中，所述第二外延层的掺杂浓度大于所述缓冲区域的掺杂浓度。
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