无锡海飞凌半导体材料有限公司朱建中获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡海飞凌半导体材料有限公司申请的专利一种HCVD用氯硅烷汽化器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114857981B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210572262.X，技术领域涉及：F28D21/00；该发明授权一种HCVD用氯硅烷汽化器是由朱建中;鞠德胜;万荣群设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种HCVD用氯硅烷汽化器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种HCVD用氯硅烷汽化器，其包括：汽化罐，设置于所述汽化罐外部的加热马夹，设置于所述汽化罐内的石墨发热体以及设置所述汽化罐的顶部的雾化喷射器，其中，所述汽化罐的侧壁上还设有混合气出口和正极法兰组件和负极法兰组件，所述雾化喷射器用于将待汽化的气体喷射至所述石墨发热体，所述正极法兰组件和所述负极法兰组件均电连接于所述加热马夹和所述石墨发热体。其通过将发热体采用石墨材质，并通过结构创新设计，增大了发热面积，发热体表面温度恒定，使进入的气体混合汽化效果更好，经过该HCVD用氯硅烷汽化器处理的氯硅烷能以有效计量、恒温的气相状态送入HCVD，保证了化学气相沉积炉的气场均一平稳。
本发明授权一种HCVD用氯硅烷汽化器在权利要求书中公布了：1.一种HCVD用氯硅烷汽化器，其特征在于，包括：汽化罐，设置于所述汽化罐外部的加热马夹，设置于所述汽化罐内的石墨发热体以及设置所述汽化罐顶部的雾化喷射器；其中，所述汽化罐的侧壁上还设有混合气出口和正极法兰组件和负极法兰组件，所述雾化喷射器用于将待汽化的气体喷射至所述石墨发热体，所述正极法兰组件和所述负极法兰组件均电连接于所述加热马夹和所述石墨发热体，用于外接电源；所述石墨发热体包括：发热体本体，连接于所述发热体本体外壁的若干导热片，所述发热体本体内还设有贯穿的通孔，所述发热体本体上设有上连接孔和下连接孔，所述上连接孔用于连接正极石墨电极，所述下连接孔用于连接负极石墨电极。
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