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龙图腾网获悉福建慧芯激光科技有限公司申请的专利一种具备氧化隔离层的高效垂直腔面EML芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114865452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210544532.6，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种具备氧化隔离层的高效垂直腔面EML芯片及制备方法是由鄢静舟;李伟;薛婷;王坤;杨奕设计研发完成，并于2022-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具备氧化隔离层的高效垂直腔面EML芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具备氧化隔离层的高效垂直腔面EML芯片及制备方法，其中高效垂直腔面EML芯片包括VCSEL单元、氧化隔离层和EOM单元，氧化隔离层设置于VCSEL单元和EOM单元之间，用于防止两单元接触处的电位影响各自单元内的工作电流。本发明突破性地在VCSEL单元和EOM单元之间设置具有电学绝缘效果的氧化隔离层来隔离施加到EOM单元的高频调制信号，使得VCSEL单元和EOM单元相对独立，防止高频调制信号对VCSEL单元中的电流产生影响，从而确保VCSEL单元的稳定输出。同时，本发明创新地开创了差分氧化的方法，通过精准设计氧化隔离预制层和氧化限制预制层的含铝量偏差，使得氧化隔离层和氧化限制层能在同一个氧化制程里形成，大大简化了芯片制程并降低了生产成本。

本发明授权一种具备氧化隔离层的高效垂直腔面EML芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具备氧化隔离层的高效垂直腔面EML芯片，其特征在于：包括VCSEL单元、氧化隔离层和EOM单元，其中： 所述VCSEL单元由下至上包括衬底、缓冲层、第一DBR、谐振腔和第二DBR，并且所述谐振腔由下至上包括第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层、第二限制层和氧化限制层； 所述EOM单元由下至上包括第三DBR、吸收区和第四DBR； 所述氧化隔离层设置于所述VCSEL单元和EOM单元之间，用于防止两单元接触处的电位影响各自单元内的工作电流； 所述高效垂直腔面EML芯片的制备方法包括如下步骤： （1）在衬底上依次生长缓冲层、第一DBR、谐振腔、第二DBR、氧化隔离预制层、第三DBR、吸收区和第四DBR；所述谐振腔包括第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层、第二限制层和氧化限制预制层； （2）在所述缓冲层的下表面制备第一平面电极或在所述第一DBR的上表面制作第一环形电极； （3）在所述第二DBR的上表面制作第二环形电极； （4）采用湿法氧化工艺对氧化隔离预制层和氧化限制预制层进行氧化，以形成氧化隔离层和氧化限制层；所述氧化隔离层和氧化限制层的材料均为Al2O3，其中所述氧化隔离层由材料为AlxGa1-xAs的氧化隔离预制层经湿法氧化工艺氧化形成，所述氧化限制层由材料为AlyGa1-yAs的氧化限制预制层经湿法氧化工艺形成，由于氧化限制预制层需实现部分氧化以形成光电限制的孔径，而氧化隔离预制层则需要实现全部氧化以形成氧化隔离层，因此若要在同一氧化制程中同时制备氧化限制层和氧化隔离层，则需要控制氧化限制预制层AlyGa1-yAs的含铝量y小于氧化隔离预制层AlxGa1-xAs的含铝量x； （5）在所述第三DBR的上表面制作第三环形电极，并在所述第四DBR的上表面制作第四环形电极。

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