河北工程大学刘秀红获国家专利权
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龙图腾网获悉河北工程大学申请的专利一种基于双层凹型光栅结构的高通量集成光学传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114965362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210555112.8,技术领域涉及:G01N21/41;该发明授权一种基于双层凹型光栅结构的高通量集成光学传感器是由刘秀红;史超颖;胡劲华;赵继军;韩海燕;朱巧芬设计研发完成,并于2022-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双层凹型光栅结构的高通量集成光学传感器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于双层凹型光栅结构的高通量集成光学传感器,包括两层复合光栅层和中间夹层,两层复合光栅层分别在所述中间夹层的上、下面,所述复合光栅层为凹型光栅结构,包括若干周期性单元,每个周期性单元包括若干周期或非周期排列的微纳光栅,所述微纳光栅远离中间夹层的一端刻蚀凹槽,所述微纳光栅的光栅横截面为凹型,相邻两个微纳光栅之间具有气隙。本发明基于当前光学传感器的研究现状和谐振波导光栅的优势,结构简单,制备方便,通过设计凹型光栅结构,实现对不同模式的调控。
本发明授权一种基于双层凹型光栅结构的高通量集成光学传感器在权利要求书中公布了:1.一种基于双层凹型光栅结构的高通量集成光学传感器,其特征在于,包括:两层复合光栅层和中间夹层,两层复合光栅层分别在所述中间夹层的上、下面,所述复合光栅层为凹型光栅结构,包括若干周期性单元,每个周期性单元包括若干周期或非周期排列的微纳光栅,所述微纳光栅远离中间夹层的一端刻蚀凹槽,所述微纳光栅的光栅横截面为凹型,相邻两个微纳光栅之间具有气隙; 所述集成光学传感器通过改变相邻两个微纳光栅之间的间距调控光栅的漏模谐振模式,通过改变中间夹层的厚度调控光栅的F-P腔模式,通过改变凹槽的刻蚀深度改变光栅横截面的形状; 所述微纳光栅通过控制刻蚀凹槽的深度将光栅横截面变为矩形。
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