福建省晋华集成电路有限公司黄鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210501518.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其形成方法是由黄鑫;吴家伟;叶长福;童宇诚;陈旋旋;吕佐文设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述衬底包括沟槽，所述沟槽暴露至少部分所述导电插塞；在所述沟槽内的导电插塞顶部形成金属层；进行退火工艺处理，所述导电插塞顶部的金属层形成金属硅化物；对所述金属硅化物进行减氧处理，以减少所述金属硅化物中的金属氧化物；去除减氧处理后剩余的金属层。本申请能够降低半导体器件中对应互连接触结构的电阻率，提高互连接触结构的导电性能。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括： 提供衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述衬底包括沟槽，所述沟槽暴露至少部分所述导电插塞； 在所述沟槽内的导电插塞顶部形成金属层； 进行退火工艺处理，所述导电插塞顶部的金属层形成金属硅化物； 对所述金属硅化物进行减氧处理，以减少所述金属硅化物中的金属氧化物； 去除减氧处理后剩余的金属层； 所述对所述金属硅化物进行减氧处理的方法包括：对所述金属硅化物进行还原处理，再进行氮化处理；或，在对所述金属硅化物进行氮化处理，再进行还原处理。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省晋华集成电路有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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