宁波芯健半导体有限公司彭祎获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波芯健半导体有限公司申请的专利一种芯片的制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210473968.0，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种芯片的制备方法及芯片是由彭祎;李春阳;任超;刘凤;方梁洪设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片的制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片制造技术领域，本发明提供了一种芯片的制备方法及芯片。该芯片的制备方法包括通过先对初始晶圆进行电镀处理，得到处理后晶圆；该初始晶圆包括初始芯片和对位芯片；并在处理后晶圆上涂覆阻挡层，通过图形化阻挡层以形成后续需要电镀形成的焊点或者对位点的通孔；由于该对位芯片上的起封装对位作用的区域为对位点，且该对位点的横截面积与焊点的横截面积相近，从而使得两种结构在电镀回流后的高度差较小，提高了两种结构所在平面的均匀性，进而有利于提高后续对晶圆进行研磨的均匀性。
本发明授权一种芯片的制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种芯片的制备方法，其特征在于，包括： 提供一初始晶圆；所述初始晶圆包括多个初始芯片（8）和对位芯片（9）；所述多个初始芯片（8）中的每个初始芯片（8）上设有电极阵列； 对所述初始晶圆的第一表面进行电镀预处理，得到处理后晶圆；所述第一表面上设有所述电极阵列； 在所述处理后晶圆的第一表面上涂覆阻挡层（7），并图形化所述阻挡层（7）；所述图形化后的阻挡层（7）包括多个第一通孔阵列（801）和第二通孔阵列901；所述多个第一通孔阵列（801）与多个所述电极阵列对应；所述第二通孔阵列901位于所述对位芯片（9）上；且所述第二通孔阵列901的第二通孔11的横截面积与所述第一通孔阵列（801）的第一通孔（10）的横截面积的差值小于等于第一阈值；所述第一阈值的范围包括0~5平方微米； 利用电镀工艺在所述多个第一通孔阵列（801）的第一通孔（10）中制备焊点，在所述第二通孔阵列901的第二通孔11中制备对位点； 去除所述阻挡层（7），得到表面具有多个焊点阵列和对位点阵列的目标晶圆级芯片。
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