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龙图腾网获悉国电南瑞科技股份有限公司申请的专利一种电动汽车有序充电控制方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210466929.8，技术领域涉及：H02J3/32；该发明授权一种电动汽车有序充电控制方法及系统是由张高山;蔡华;江御龙;刘永春;李若昕;李想;王可;张涛;夏峰;岳鹏;陈诚;黄月昊;王瑞;盛昕炜;张运长;田中利;万泽辰;蒋昕潼;危鹏博;刘伟设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电动汽车有序充电控制方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电动汽车有序充电控制方法及系统。分别对直流充电桩的PFC电路和DCDC转换电路进行功率损耗建模。针对PFC电路的损耗模型，采用Pareto优化方法求取最低损耗，从而获得PFC电路在一定输入功率下的第一最优充电效率。针对DCDC转换电路的损耗模型，采用Pareto优化方法求取最低损耗，从而获得双有源桥DCDC转换电路在一定输入功率下的第二最优充电效率。根据第一最优充电效率和第二最优充电效率，求解充电桩最优充电效率。基于充电桩最优充电效率，通过粒子群优化算法对预先构建的目标优化函数求解以获得最小的负荷波动，从而实现规模化电动汽车有序充电的目标。

本发明授权一种电动汽车有序充电控制方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种电动汽车有序充电控制方法，其特征在于，包括： 分别对直流充电桩的PFC电路和DCDC转换电路进行功率损耗建模，得到PFC电路损耗模型和DCDC转换电路损耗模型； 对所述PFC电路损耗模型进行多目标优化求解得到PFC电路在输入功率下的最低损耗，根据该最低损耗计算PFC电路在输入功率下的第一最优充电效率； 对所述DCDC转换电路损耗模型进行多目标优化求解得到DCDC转换电路在输入功率下的最低损耗，根据该最低损耗计算DCDC转换电路在输入功率下的第二最优充电效率； 根据所述第一最优充电效率和第二最优充电效率，求解充电桩最优充电效率； 获取以电网负荷波动率最小为目标函数，以电网调度容量、电动汽车电池电量、充电桩充电功率和用户行为作为约束条件构建的有序充电控制模型；所述充电桩充电功率与充电桩充电效率相关联； 基于所述充电桩最优充电效率，对所述有序充电控制模型进行求解，得到电动汽车充电时段及功率； PFC电路损耗模型为： （1） （2） （3） （4） （5） 式（1）中，为MOSFET的导通损耗，为MOSFET的电流有效值，为MOSFET的通态电阻；式（2）中，为开关损耗，为PFC电路输出电压，为负载电流，为流过MOSFET沟道的电流，为MOSFET驱动电压从开通阈值上升到米勒平台所需的时间，为MOSFET漏源端电压下降为0所需的时间，为MOSFET漏源端电压从0上升到稳态应力值所需的时间，为MOSFET沟道电流从稳态应力值下降到0所需的时间；式（3）中，为二极管的导通损耗，为二极管电流平均值，为二极管正向压降，为二极管电流有效值，为二极管动态电阻；式（4）中，为电感的铜损，为电感单流有效值，为电感绕组的直流电阻；式（5）中，为电感的铁损，为磁芯的有效体积，、、为Steimetz参数，为工频频率，为峰值磁通密度，N为一个开关周期数字化量化后分段数目，和分别为第个区段的磁通密度改变量和第个区段持续的时间，为磁链角度； DCDC转换电路损耗模型为： （6） （7） （8） （9） （10） （11） 式（6）中，为半导体器件的导通损耗，为内移相比，为外移相比；式（7）中，为开关损耗，为比例系数；式（8）中，为磁芯器件的总损耗；式（9）中，为变压器匝比，为充电桩的输出电压，双有源桥DCDC转换电路的开关周期；为电感量，为二极管正向导通压降，为IGBT的饱和压降；式（10）中，为双有源桥DCDC转换电路的输入电压，和分别为IGBT的开通时间和关断时间；式（11）中，为变压器匝比，为双有源桥DCDC转换电路的输出电压，为变压器绕组电阻，为辅助电感的绕组电阻，为开关频率，为真空磁导率，为气隙大小，为绕组圈数，为磁芯的有效体积，为铁损系数。

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