无锡麟聚半导体科技有限公司刘桂芝获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡麟聚半导体科技有限公司申请的专利一种光电热电式激光能量收集器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114744105B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210418831.5,技术领域涉及:H10N10/817;该发明授权一种光电热电式激光能量收集器及其制备方法是由刘桂芝;马丙乾;王冬峰;何云设计研发完成,并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电热电式激光能量收集器及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种光电热电式激光能量收集器及其制备方法,该光电热电式激光能量收集器包括激光电池、隔离层及热电式发电机,其中,激光电池包括衬底、位于衬底下方的外延结构、位于外延结构中的凹槽、位于凹槽底端的第一电极层及位于外延结构下方的第二电极层,外延结构包括向下依次堆叠设置的缓冲层、第一导电类型异质结层及第二导电类型异质结层;隔离层位于激光电池的下方;热电式发电机包括多个呈立柱式结构且依次间隔设置的热电偶、热端导电互连层及冷端导电互连层。本发明通过由第一导电类型异质结层与第二导电类型异质结层组成的光电转换层,将激光转换成电能,并利用热电式发电机收集激光电池传递的热量,提升了激光能量的转换效率。
本发明授权一种光电热电式激光能量收集器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种光电热电式激光能量收集器,其特征在于,包括: 激光电池,包括衬底、位于所述衬底下方的外延结构、位于所述外延结构中的多个间隔设置的凹槽、位于所述凹槽底端的第一电极层及位于所述外延结构下方的第二电极层,其中,所述外延结构包括向下依次堆叠设置的缓冲层、第一导电类型异质结层及第二导电类型异质结层,所述凹槽贯穿所述第二导电类型异质结层并延伸至所述第一导电类型异质结层中,所述第一导电类型异质结层包括向下依次堆叠设置的第一导电类型GaN层及第一导电类型InGaN层,所述第二导电类型异质结层包括向下依次堆叠设置的第二导电类型GaN层及第二导电类型GaN欧姆接触层,且所述第一导电类型InGaN层位于所述第二导电类型GaN层上表面; 隔离层,位于所述激光电池的下方; 热电式发电机,位于所述隔离层的下方,包括热端导电互连层、冷端导电互连层及多个呈立柱式结构且依次间隔设置的热电偶,其中,所述热电偶包括依次间隔设置的一第一导电类型热电臂与一第二导电类型热电臂,所述热端导电互连层电连接所述热电偶中所述第一导电类型热电臂与所述第二导电类型热电臂的顶端,所述冷端导电互连层电连接两相邻所述热电偶之间相邻的所述第一导电类型热电臂与所述第二导电类型热电臂的底端。
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