芯来智融半导体科技(上海)有限公司袁伟获国家专利权
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龙图腾网获悉芯来智融半导体科技(上海)有限公司申请的专利参考电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114822634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210416167.0,技术领域涉及:G11C11/4063;该发明授权参考电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质是由袁伟;江滔;彭剑英;胡振波;李超;彭康康设计研发完成,并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本参考电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质在说明书摘要公布了:本申请实施例提供了一种参考电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质,涉及存储器技术领域。该参考电压确定方法应用于随机存储器,根据各初始参考电压对随机存储器进行数据写入训练,得到各初始参考电压对应的各数据写入延时窗口;确定多个数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的,起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压,终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压,以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压;根据起始参考电压、终止参考电压与最佳参考电压确定随机存储器对应的目标参考电压。解决了传统技术中目前DDR4存储器参考电压的可靠性较差的技术问题,达到了提高DDR4存储器参考电压的可靠性的技术效果。
本发明授权参考电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质在权利要求书中公布了:1.一种参考电压确定方法,其特征在于,应用于随机存储器,所述方法包括: 根据各初始参考电压对所述随机存储器进行数据写入训练,得到各所述初始参考电压对应的各数据写入延时窗口; 确定多个所述数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的,起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压,终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压,以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压; 根据所述起始参考电压、所述终止参考电压与所述最佳参考电压确定所述随机存储器对应的目标参考电压; 所述确定多个所述数据写入延时窗口中大于预设数据写入延时窗口中的,起始数据写入延时窗口对应的起始参考电压,终止数据写入延时窗口对应的终止参考电压,以及最大数据写入延时窗口对应的最佳参考电压,包括: 将多个所述数据写入延时窗口中第一个大于所述预设数据写入延时窗口的数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为所述起始参考电压; 将多个所述数据写入延时窗口中最后一个大于所述预设数据写入延时窗口的数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为所述终止参考电压; 将多个所述数据写入延时窗口中的最大数据写入延时窗口对应的初始参考电压确定为最佳参考电压。
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