中国科学院合肥物质科学研究院李祥艳获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利界面处空位型缺陷结构的优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114818266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210289840.9，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权界面处空位型缺陷结构的优化方法是由李祥艳;李小林;张艳革;许依春;胡奕;吴学邦;王先平;刘长松;方前锋设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本界面处空位型缺陷结构的优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种界面处空位型缺陷结构的优化方法，主要步骤包括：获取最小空位形成能的晶格位置和影响区域，删除可能受空位占据影响区域中的原子；对删除原子后的影响区域划分网格；在划分的网格中插入原子；优化插入原子在网格上的占据位置；弛豫优化后的占据位置，获得空位基态原子结构。该优化方法该优化方法不限制原子晶格位置，能够在一定空间区域整个空间所有的位置处寻找空位结构，可有效访问界面附近的势能面特征，获得空位的基态结构。
本发明授权界面处空位型缺陷结构的优化方法在权利要求书中公布了：1.一种界面处空位型缺陷结构的优化方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、获取最小空位形成能的晶格位置[x0,y0,z0]和影响区域，所述影响区域为以该晶格位置[x0,y0,z0]为中心，其三维坐标每个方向影响半径分别为rx、ry、rz的区域；同时删除位于所述影响区域中且坐标满足|x-x0|＜rx、|y-y0|＜ry、|z-z0|＜rz的原子[x,y,z]； S2、对步骤S1中删除原子后的影响区域划分网格，其中，网格的格点坐标处于影响区域的边界范围内； S3、在步骤S2划分的网格中插入原子数为nA1的原子，其中，nA1=nA-nV，nA为步骤S1中删除的原子数，nV为拟在删除原子后的影响区域中生成的空位数； S4、采用差分进化方法优化步骤S3中的插入原子在网格上的占据位置，优化问题为从步骤S2中划分的网格中寻找nA1个位置，使得系统能量最低； S5、弛豫步骤S4中优化后的占据位置，获得空位基态原子结构。
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