长江存储科技有限责任公司杨永刚获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823311B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210176887.4，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体器件及其制作方法是由杨永刚设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制作方法。该制作方法包括：在衬底上形成绝缘介质层；刻蚀绝缘介质层，形成多个沿第一方向间隔分布的孔行，每个孔行包括沿第二方向间隔分布的间隔的多个孔；在孔中一一对应形成选择控制栅，形成沿第一方向分布的多个选择控制栅行；刻蚀去除两个相邻选择控制栅行之间的至少部分绝缘介质层，形成沟槽，沟槽的底壁为绝缘介质层，沟槽的至少一个侧壁包括选择控制栅的侧壁；在沟槽中至少依次形成栅氧层和栅极。该方法中，由于形成的选择控制栅的位置和形状发生了变化，所以在后续形成沟槽的过程中，只需要刻蚀绝缘介质层，避免了同时刻蚀绝缘介质层和选择控制栅以形成沟槽的步骤，从而降低了刻蚀沟槽的工艺难度。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成绝缘介质层； 刻蚀所述绝缘介质层，形成沿第一方向间隔分布的多个孔行，每个所述孔行包括沿第二方向间隔分布的多个孔，各所述孔使得衬底裸露，所述第一方向和所述第二方向垂直，所述第一方向和所述第二方向分别与所述孔的深度方向垂直； 在所述孔中一一对应形成选择控制栅，形成沿所述第一方向分布的多个选择控制栅行，每个所述选择控制栅行包括沿所述第二方向间隔分布的多个所述选择控制栅； 刻蚀去除两个相邻所述选择控制栅行之间的至少部分所述绝缘介质层，形成沟槽，所述沟槽的底壁为所述绝缘介质层，所述沟槽的至少一个侧壁包括所述选择控制栅的侧壁； 在所述沟槽中至少依次形成栅氧层和栅极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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