美光科技公司J·D·霍普金斯获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成式组合件和形成集成式组合件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823690B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210085585.6，技术领域涉及：H10B41/50；该发明授权集成式组合件和形成集成式组合件的方法是由J·D·霍普金斯;A·N·斯卡伯勒;J·D·格林利设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成式组合件和形成集成式组合件的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及集成式组合件和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含具有第一存储器区、从所述第一存储器区偏移的第二存储器区和在所述第一和第二存储器区之间的中间区的集成式组合件。沟道材料柱布置在所述第一和第二存储器区内。导电柱布置在所述中间区内。面板跨所述第一存储器区、所述中间区和所述第二存储器区延伸。所述面板在第一存储器块区和第二存储器块区之间。掺杂半导体材料在所述第一存储器区、所述第二存储器区和所述中间区内，且紧邻所述面板。所述掺杂半导体材料是所述第一和第二存储器区内的导电源极结构的至少部分。绝缘环环绕所述导电柱的下部区且在所述导电柱和所述掺杂半导体材料之间。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
本发明授权集成式组合件和形成集成式组合件的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成式组合件，其包括： 存储器区和与所述存储器区相邻的另一区； 布置在所述存储器区内的沟道材料柱和布置在所述另一区内的导电柱； 源极结构，其耦合到所述沟道材料柱的下部区； 面板，其跨所述存储器区和所述另一区延伸，并隔开第一存储器块区与第二存储器块区； 掺杂半导体材料，其在所述存储器区和所述另一区内紧邻所述面板；所述掺杂半导体材料是所述存储器区内的所述源极结构的至少部分；以及 衬里，其横向环绕所述导电柱的下部区；所述衬里在所述导电柱和所述掺杂半导体材料之间，且直接接触所述掺杂半导体材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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