南京大学余林蔚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种批量生长高均一性晶硅纳米线的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400247B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210041204.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种批量生长高均一性晶硅纳米线的方法是由余林蔚;程银子;刘宗光设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种批量生长高均一性晶硅纳米线的方法在说明书摘要公布了：本发明公开批量生长高均一性晶硅纳米线的方法，包括：第一步，在设有引导沟槽的目标衬底上旋涂光刻胶，利用光刻定义出图形，暴露出催化剂金属待沉积区域，利用等离子体向下刻蚀，形成阴影台阶；第二步，利用氧气等离子将光刻胶水平向内缩蚀，形成沉积台阶；第三步，将目标衬底样品旋转固定，以光刻胶作为阴影，在目标衬底上蒸镀沉积得到目标宽度的催化金属条；第四步，蒸镀完毕后将目标样品置于丙酮溶液超声清洗，除去多余的光刻胶，并利用氢等离子体处理催化金属得到直径均一的金属球；第五步，对整个目标衬底结构覆盖一层非晶硅前驱体并进行退火处理，使催化金属球沿着引导沟槽移动并吸收非晶硅前驱体，形成目标直径均一的纳米线。
本发明授权一种批量生长高均一性晶硅纳米线的方法在权利要求书中公布了：1.一种批量生长高均一性晶硅纳米线的方法，其特征在于，包括如下步骤： 第一步，在设有引导沟槽的目标衬底上旋涂光刻胶，利用光刻定义出图形，暴露出催化剂金属待沉积区域，利用等离子体向下刻蚀，形成阴影台阶； 第二步，利用氧气等离子体将光刻胶水平向内缩蚀，形成沉积台阶； 第三步，将目标衬底样品倾斜固定，以所述光刻胶作为阴影，在目标衬底上蒸镀沉积得到目标宽度的催化金属条； 第四步，蒸镀完毕后将目标样品置于丙酮溶液超声清洗，除去多余的光刻胶，并利用氢等离子体处理催化金属得到直径均一的金属球； 第五步，对整个目标衬底结构覆盖一层非晶硅前驱体并进行退火处理，使催化金属球沿着引导沟槽移动并吸收非晶硅前驱体，形成目标直径均一的多根纳米线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学，其通讯地址为：210000 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号