美格纳半导体有限公司朴相洙获国家专利权
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龙图腾网获悉美格纳半导体有限公司申请的专利静态随机存取存储器SRAM故障处理设备和SRAM故障处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210031573.5，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权静态随机存取存储器SRAM故障处理设备和SRAM故障处理方法是由朴相洙设计研发完成，并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本静态随机存取存储器SRAM故障处理设备和SRAM故障处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种静态随机存取存储器SRAM故障处理设备和SRAM故障处理方法。对静态随机存取存储器SRAM单元执行内置自测试BIST和修复的故障处理设备和故障处理方法，以及该故障处理设备和故障处理方法存储先前SRAM测试的故障和修复历史信息、向当前测试提供信息、以及反映BIST结果和关于先前测试的信息二者从而执行多次修复直至不存在可用备用SRAM。
本发明授权静态随机存取存储器SRAM故障处理设备和SRAM故障处理方法在权利要求书中公布了：1.一种用于静态随机存取存储器SRAM的故障处理设备，所述静态随机存取存储器包括真实存储器区域和备用存储器区域，所述故障处理设备包括： 存储器单元，其被配置成存储修复信息； 命令映射，其被配置成从所述存储器单元获得先前测试的修复信息，以及提供所述先前测试的修复信息； 内置自测试BIST块单元，其被配置成从所述命令映射获得所述先前测试的修复信息，对静态随机存取存储器单元的整个地址执行故障测试，对发生故障的故障地址是作为真实地址的所述真实存储器区域的地址还是作为备用地址的所述备用存储器区域的地址进行区分，以及存储与所述故障地址相关的故障地址信息； 更新单元，其被配置成通过使用从所述命令映射获得的所述先前测试的修复信息和从所述内置自测试块单元获得的所述故障地址信息来更新所述故障地址信息；以及 重新映射控制单元，其被配置成通过基于所述先前测试的修复信息和从所述更新单元获得的更新后的故障地址信息对所述修复信息进行重新映射来更新所述修复信息，以及将更新后的修复信息发送至所述命令映射， 其中，所述命令映射被配置成获得所述更新后的修复信息并存储在所述存储器单元中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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