浙江科睿微电子技术有限公司张瑜诚获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江科睿微电子技术有限公司申请的专利一种静电放电保护电路、射频芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512475B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210011621.4，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种静电放电保护电路、射频芯片及电子设备是由张瑜诚;沈昊宇;吴斌设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种静电放电保护电路、射频芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种静电放电保护电路、射频芯片及电子设备，应用于射频芯片中，射频芯片中还包括依次连接的功率放大器、变压器、射频开关以及射频天线，保护电路包括：第一MOS器件和第二MOS器件，第一MOS器件和第二MOS器件均包括源极、漏极、栅极、有源区衬底、外围衬底以及设置在有源区衬底与外围衬底之间的隔离区；第一MOS器件的源极与漏极短接并与第二MOS器件的有源区衬底连接，第二MOS器件的源极与漏极短接并与第一MOS器件的有源区衬底连接，第一MOS器件的有源区衬底与射频天线连接，第二MOS器件的有源区衬底与射频开关的输入端连接。该保护电路能够在射频天线接收到极大静电信号时，将放电电流导入到地同时对电压进行钳位，从而起到保护的作用。
本发明授权一种静电放电保护电路、射频芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种静电放电保护电路，其特征在于，应用于射频芯片中，所述射频芯片中还包括依次连接的功率放大器、变压器、射频开关以及射频天线； 所述保护电路包括：第一MOS器件和第二MOS器件，所述第一MOS器件和第二MOS器件均包括源极、漏极、栅极、有源区衬底、外围衬底以及设置在所述有源区衬底与所述外围衬底之间的隔离区； 所述第一MOS器件的源极与漏极短接并与所述第二MOS器件的有源区衬底连接，所述第二MOS器件的源极与漏极短接并与所述第一MOS器件的有源区衬底连接，所述第一MOS器件的有源区衬底与所述射频天线连接，所述第二MOS器件的有源区衬底与所述射频开关的输入端连接； 所述第一MOS器件以及所述第二MOS器件的外围衬底均接地，所述第一MOS器件的栅极以及隔离区均与电源端连接，所述第二MOS器件的栅极以及隔离区均与电源端连接。
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