广东先导微电子科技有限公司郑金龙获国家专利权
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龙图腾网获悉广东先导微电子科技有限公司申请的专利一种晶片清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111659222.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种晶片清洗方法是由郑金龙;吴倩;周铁军;马金峰;资云玲设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶片清洗方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶片清洗方法，旨在保证晶片清洗质量的同时保证清洗后晶片的氧化层的均匀性，其技术方案：一种晶片清洗方法，包括如下步骤：S1：先采用第一蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第一蒸汽药液为酸性药液；S2：先采用第二蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第二蒸汽药液为碱性药液；S3：先采用第三蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第三蒸汽药液为碱性药液；S4：先采用第四蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第四蒸汽药液为酸性药液；S5：风干晶片，属于晶片清洗技术领域。
本发明授权一种晶片清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片清洗方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：先采用第一蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第一蒸汽药液为酸性药液； S2：先采用第二蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第二蒸汽药液为碱性药液； S3：先采用第三蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第三蒸汽药液为碱性药液； S4：先采用第四蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第四蒸汽药液为酸性药液； S5：风干晶片； 其中，第二蒸汽药液和第三蒸汽药液均为含氢氧化铵、过氧化氢的水溶液； 第二蒸汽药液中的氢氧化铵的浓度为14wt％-20wt％；第二蒸汽药液中的过氧化氢的浓度为6wt％-12wt％； 第三蒸汽药液中的氢氧化铵的浓度为8.4wt％-11.2wt％；第三蒸汽药液中的过氧化氢的浓度为18wt％-21wt％。
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