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龙图腾网获悉上海贝岭股份有限公司申请的专利上电复位电路及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114285396B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111616054.7，技术领域涉及：H03K17/22；该发明授权上电复位电路及电子设备是由张煜彬;晏光亮;徐恩雨;张辉设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本上电复位电路及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种上电复位电路及电子设备，上电复位电路包括第一、第二和第三分压电阻、PNP三极管、比较器和第一反相器：第一分压电阻、比较器的供电端和第一反相器的供电端均与输入电源连接；第一分压电阻与第二、第三分压电阻和比较器的第一输入端连接；第二分压电阻与比较器的第二输入端和PNP三极管的发射极连接；第三分压电阻、PNP三极管的基极和集电极、比较器的接地端和第一反相器的接地端均接地；比较器的输出端和第一反相器的输入端连接；第一反相器的输出端输出复位信号。本发明通过类似于带隙基准的结构，可实现复位电平可变，PNP三极管不需要增加掩膜层，更易于工艺移植，从而实现低成本设计。

本发明授权上电复位电路及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路包括第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻、PNP三极管、比较器和第一反相器： 所述第一分压电阻的一端、所述比较器的供电端和所述第一反相器的供电端均与输入电源连接；所述第一分压电阻的另一端分别与所述第二分压电阻的一端、所述第三分压电阻的一端和所述比较器的第一输入端连接；所述第二分压电阻的另一端分别与所述比较器的第二输入端和所述PNP三极管的发射极连接； 所述第三分压电阻的另一端、所述PNP三极管的基极和集电极、所述比较器的接地端和所述第一反相器的接地端均接地； 所述比较器的输出端和所述第一反相器的输入端连接；所述第一反相器的输出端用于输出复位信号； 所述比较器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管： 所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接，形成所述比较器的供电端； 所述第二NMOS管的栅极与所述第一分压电阻的另一端连接，形成所述比较器的第一输入端； 所述第一NMOS管的栅极与所述第二分压电阻的另一端连接，形成所述比较器的第二输入端； 所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接，形成所述比较器的输出端； 所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极连接，形成所述比较器的接地端； 所述第一PMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极、所述第一NMOS管的漏极连接； 所述复位信号对应的复位电平VRST的公式为： 其中，R1为第一分压电阻，R2为第二分压电阻，R3为第三分压电阻，VBE为PNP三极管Q的基极和发射极的电压差，所述电压差为负温度系数； 为正温度系数，其中K为玻尔茨曼常数，T为热力学温度，q为电子负荷，ζn为MOS管的工艺参数，N为第一NMOS管NM1与第二NMOS管NM2的宽长比比值； 所述上电复位电路还包括滤波电路： 所述滤波电路的输入端与所述第一反相器的输出端连接，所述滤波电路的输出端用于输出复位信号。

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