美光科技公司L·T·武获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用以感测存储器单元的两种状态的感测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114694725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111614588.6，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权用以感测存储器单元的两种状态的感测电路是由L·T·武;E·E·于;J·M-H·蔡设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本用以感测存储器单元的两种状态的感测电路在说明书摘要公布了：本申请涉及用于感测存储器单元的两种状态的感测电路。一种装置包含存储器阵列和与所述存储器阵列耦合的感测电路。所述感测电路包含与所述存储器阵列的数据线耦合的感测节点。第一感测路径包含具有与所述感测节点耦合的第一栅极的第一晶体管。第二感测路径包含具有与所述感测节点耦合的第二栅极的第二晶体管。所述第一晶体管的第一阈值电压与所述第二晶体管的第二阈值电压相差阈值电压间隙。
本发明授权用以感测存储器单元的两种状态的感测电路在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 存储器阵列；以及 与所述存储器阵列耦合的感测电路，其中所述感测电路包括： 与所述存储器阵列的数据线耦合的感测节点； 第一感测路径，其包括具有与所述感测节点耦合的第一栅极的第一晶体管，所述第一晶体管具有第一阈值电压；以及 第二感测路径，其包括具有与所述感测节点耦合的第二栅极的第二晶体管，其中所述第一晶体管的第一阈值电压与所述第二晶体管的第二阈值电压相差阈值电压间隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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