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龙图腾网获悉北京凯世通半导体有限公司申请的专利一种超低温晶圆注入工艺及注入平台获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111596814.2，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权一种超低温晶圆注入工艺及注入平台是由陈炯;王振辉;孙蒿泉;康劲;肖志强;雷晓刚;张彦彬;李恒;王辉;卢合强;刘金涛;肖嘉星;洪俊华;高国珺设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低温晶圆注入工艺及注入平台在说明书摘要公布了：本发明涉及一种超低温晶圆注入工艺及注入平台，所述注入工艺使用超低温晶圆注入平台在超低温真空环境下对晶圆进行离子注入，所述注入工艺包括步骤：晶圆装载步骤、抽真空步骤、待处理的晶圆转送步骤、晶圆冷却步骤、晶圆离子注入步骤、晶圆升温步骤、晶圆回送步骤、晶圆卸载步骤和晶圆产品标记入库步骤。超低温晶圆注入工艺及注入平台实现了超低温离子注入，形成了完整的非晶层，完整非晶层使得后续离子束落在非晶层，进而使得后续晶圆造成的损伤分布在非晶态区域；完整的非晶层为高质量的非晶层。

本发明授权一种超低温晶圆注入工艺及注入平台在权利要求书中公布了：1.一种超低温晶圆注入工艺，其特征在于，其用于使用超低温晶圆注入平台在超低温真空环境下对晶圆进行离子注入，其包括以下步骤： 步骤S1，晶圆装载步骤； 步骤S2，抽真空步骤； 步骤S3，待处理的晶圆转送步骤； 步骤S4，晶圆冷却步骤； 步骤S5，晶圆离子注入步骤； 步骤S6，晶圆升温步骤； 步骤S7，晶圆回送步骤； 步骤S8，晶圆卸载步骤； 步骤S9，晶圆产品标记入库步骤； 步骤S1的晶圆装载步骤中，将承载有晶圆的晶圆传送盒放置于前端晶圆传送模块中的容纳台上，前端晶圆传送模块中的机械手抓取一片或多片晶圆依次将一片或多片晶圆传送至装载模块的装载平台11，直至将容纳台上的晶圆全部传送至装载模块的装载平台11； 步骤S2的抽真空步骤中，将前端晶圆传送模块和装载模块之间的门阀关闭，对装载模块的腔室进行抽真空，使其中的气压降至与真空传送模块接近的高真空度； 步骤S3的待处理的晶圆转送步骤中，装载模块和真空传送模块之间的闸板阀打开，前真空传送机械手21抓取晶圆并将其传送至对准平台22，对准平台22对晶圆的角度位置进行校准； 步骤S4的晶圆冷却步骤中，后真空传送机械手23抓取校准后的晶圆并将其传送至真空冷却平台31，使晶圆温度降低至所需的超低温； 其中，所述真空冷却平台31上采用一种超低温静电吸盘，超低温为零下150摄氏度低温，且所述超低温静电吸盘能够承受超低温的温度，所述超低温静电吸盘为至少四层结构，包括静电吸盘主体311，且其上通过胶层粘接固定有第一印刷电极柔性层312，所述第一印刷电极柔性层312上远离静电吸盘主体311的一面上设置有至少2组电极排列313，在所述第一印刷电极柔性层312具有所述电极排列313的一面上还固定设置有粘接填充层314，在所述粘接填充层314上还通过粘接固定有第二印刷电极柔性层315，晶圆与所述静电吸盘主体311之间存在间隙316；所述真空冷却平台31中具有冷却管道结构317，所述冷却管道结构317的管道中持续通入、流动有冷却介质，所述冷却介质在所述真空冷却平台31处吸热，从而使得真空冷却平台31以及其上的静电吸盘保持在所需的超低温，所述真空冷却平台31与静电吸盘之间还具有导热填充层319； 步骤S5的晶圆离子注入步骤中，后真空传送机械手23抓取冷却后的晶圆并将其传送至圆注入承载盘42，通过晶圆扫描机械手41将晶圆翻转、移动，来回横穿离子束，完成离子的注入； 其中，所述后真空传送机械手23从所述真空冷却平台31上抓取超低温晶圆，并将所述超低温晶圆移动至真空注入模块中的晶圆注入承载盘42上，并由所述晶圆注入承载盘42固持，所述晶圆注入承载盘42处采用一种具有晶圆机械辅助夹具的静电吸盘，所述晶圆机械辅助夹具设置于静电吸盘的背后，所述晶圆机械辅助夹具包括安装柔性层4210，所述安装柔性层4210固定设置于静电吸盘的下表面与晶圆接触面相对的一面。

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