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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十八研究所申请的专利一种能源信息一体化的温度传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114279585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111588347.9，技术领域涉及：G01K7/02；该发明授权一种能源信息一体化的温度传感器及制备方法是由孟占昆;高鹏;纪伟伟;赵一聪设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种能源信息一体化的温度传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种能源信息一体化的温度传感器及制备方法，属于微纳物理电源技术领域，其特征在于，所述能源信息一体化的温度传感器的制备方法至少包括：S1、制备温差器件；S2、设计包括超低电压DCDC升压转换器、储能电容器、充电输出、LDO输出、Vout三种输出的温差发电电路；S3、设计冷端补偿温度电路；S4、在控制器内设计滤波模块和AD转换模块；S5、电路组装。本发明通过温差器件输出电压对温度敏感及本身可发电性能，设计发电电路和补偿电路，实现能源信息一体化的温度传感器。

本发明授权一种能源信息一体化的温度传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种能源信息一体化的温度传感器的制备方法，其特征在于，至少包括： S1、制备温差器件；具体为： S101、在二氧化硅基片上制备冷端Mo电极层和热端Mo电极层； S102、在所述冷端Mo电极层表面套刻P元件排布图样，在所述热端Mo电极层表面套刻N元件排布图样，通过真空蒸发沉积Au； S103、在所述冷端Mo电极层表面套刻P元件排布图样，在所述热端Mo电极层表面套刻N元件排布图样，采用多靶非平衡磁控溅射工艺制备温差电P元件微区和N元件微区，形成P型元件阵列、N型元件阵列； S104、在所述P型元件阵列、N型元件阵列表面，采用电子束沉积方法制备Sn层，所述Sn层与Au层的厚度比例为0.5～0.8； S105、将P型元件阵列与冷端裸露的电极层表面相对，将N型元件阵列与热端裸露的电极层表面相对，采用Au-Sn金属键合工艺完成二者之间集成，集成温度为240℃～360℃； S2、设计包括超低电压DCDC升压转换器、储能电容器、充电输出、LDO输出、Vout三种输出的温差发电电路； S3、设计冷端补偿温度电路；所述冷端补偿温度电路采用IN4148作为补偿二极管，采用运放LM321LV放大信号； S4、设计滤波模块和AD转换模块，采用GD32E230为处理器；所述滤波模块采集N个周期的数据，去掉N个周期数据中的最大值和最小值，取剩下的数据取平均值，N为大于2的自然数；所述AD转换模块将模拟信号转为温度数据； S5、电路组装；具体为： 将超低电压DCDC升压转换器的输入侧与温差器件的冷端电极层和热端电极层连接；将超低电压DCDC升压转换器的充电输出与储能电容器连接；将LDO输出与处理器的受电端子连接；将Vout与运放LM321LV的供电端子连接；将冷端补偿温度电路连接在冷端电极层处。

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