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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利工艺腔室及半导体加工设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111572624.7，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权工艺腔室及半导体加工设备是由赵晋荣;陈星;韦刚;王海莉设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本工艺腔室及半导体加工设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种工艺腔室及半导体加工设备，该工艺腔室包括腔体及设置在腔体中的基座和多个悬臂，多个悬臂沿基座的周向间隔分布在基座的周围，且每个悬臂连接在基座的侧壁与腔体的侧壁之间，其特征在于，还包括内衬结构，内衬结构间隔地环绕在腔体的侧壁与基座的侧壁之间，且内衬结构上设置有用于供气体通过的栅孔；内衬结构的第一端间隔地位于基座的侧壁外侧，且与基座和悬臂电绝缘；内衬结构的第二端不低于腔体的侧壁顶部，且第二端设置有延伸结构，延伸结构自第二端延伸至腔体或者悬臂上，并与之电导通。本发明提供的工艺腔室及半导体加工设备，其可以提高基座表面不同位置处的电流均匀性，从而可以提高工艺均匀性。

本发明授权工艺腔室及半导体加工设备在权利要求书中公布了：1.一种工艺腔室，包括腔体及设置在所述腔体中的基座和多个悬臂，多个所述悬臂沿所述基座的周向间隔分布在所述基座的周围，且每个所述悬臂连接在所述基座的侧壁与所述腔体的侧壁之间，其特征在于，还包括内衬结构，所述内衬结构间隔地环绕在所述腔体的侧壁与所述基座的侧壁之间，且所述内衬结构上设置有用于供气体通过的栅孔； 所述内衬结构的第一端间隔地位于所述基座的侧壁外侧，且与所述基座和所述悬臂电绝缘；所述内衬结构的第二端不低于所述腔体的侧壁顶部，且所述第二端设置有延伸结构，所述延伸结构自所述第二端延伸至所述腔体或者所述悬臂上，并与之电导通； 所述内衬结构包括第一衬环，所述第一衬环的第一端作为所述内衬结构的所述第一端间隔地位于所述基座的侧壁外侧，且与所述基座和所述悬臂电绝缘；所述第一衬环的第二端作为所述内衬结构的所述第二端设置有所述延伸结构； 所述延伸结构包括第二衬环，所述第二衬环与所述第一衬环同心设置，且位于所述第一衬环与所述腔体的侧壁之间，并与二者相互间隔，所述第二衬环的第一端与所述第一衬环的第二端连接，且电导通。

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